发明名称 研磨方法及研磨装置、及半导体装置之制造方法
摘要 本发明系在研磨金属膜使之平坦化之际,可容易且有效除去多余金属膜之高精度的研磨方法及研磨装置。再者,本发明系利用前述研磨方法及研磨装置之半导体装置之制造方法。与本发明有关之研磨方法系:在电解液中,使形成有金属膜之基板与对向电极呈对向配置,并介以上述电解液对上述金属膜进行通电,同时以硬质研磨垫研磨上述金属膜表面,来把上述金属膜研磨者。此外,与本发明有关之研磨装置系:在电解液中把形成于基板上之金属膜进行研磨的研磨装置;其系具备:对向电极,其系与上述基板呈对向配置者;电源,其系以上述基板为阳极、以上述对向电极为阴极,来施加电压者;及研磨垫,其系在上述基板上滑动来研磨上述金属膜者。
申请公布号 TW200403122 申请公布日期 2004.03.01
申请号 TW092109476 申请日期 2003.04.23
申请人 新力股份有限公司 发明人 堀越浩;野上毅;佐藤 修三;高桥新吾;驹井 尚纪;田井香织;大鸟居 英
分类号 B23H7/26 主分类号 B23H7/26
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本