半导体积体电路装置及其制造方法

摘要

不用将基板和闸极绝缘膜之界面附近的氮浓度提高至所需要以上，则可提高闸极绝缘膜中之氮浓度。其解决手段为藉由将基板予以湿氧化，而在p型井及n型井之各表面上形成膜厚5nm以下之氧化矽膜后，藉由在含有5％左右之NO气体的环境下热处理基板，并将氮导入至氧化矽膜中，而形成氧氮化矽膜。接着，藉由将基板曝露于氮等离子环境中，使得氮又导入至氧氮化矽膜中，藉此形成由在与基板之界面附近具有第1峰值浓度，并在表面附近具有第2峰值浓度之氧氮化矽所构成的闸极绝缘膜。