发明名称 设有具有经植入之导电中心之介电层的发射器
摘要 一电子发射器(10)其具有一形成于一导体(14)上之介电层(12),在该介电层(12)之上具有一薄金属层(16)。数个导电中心(28)系位在该介电层(12)中,以允许电子藉由量子穿隧效应从导体(14)通过介电层(12)到达该薄金属层(16)。
申请公布号 TW200403846 申请公布日期 2004.03.01
申请号 TW092108254 申请日期 2003.04.10
申请人 惠普研发公司 发明人 詹姆斯D 史密斯;保罗 J 贝宁
分类号 H01L29/08 主分类号 H01L29/08
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国