| 摘要 |
本发明系提供一种被膜，其在高温处理步骤可适用，可使配线间之微小空间无间隙的埋入，可防止侧面蚀刻之产生，同时，伴随氛围温度的上升使脱气极少之被膜。其为将选自下述一般式(I)所不之化合物及一般式(II)所示化合物所成群之一种以上所成之第1烷氧基矽烷化合物，予以以水解处理所得之含反应生成物之涂敷液，涂敷于被处理物上以形成涂膜，使该涂膜在氧浓度1000ppm以下之氛围中烧(calcination)以形成有机被膜。又可使该第1烷氧基矽烷化合物和下述一般式(III)所示之化合物所成之群之一种以上所成之第2烷氧基矽烷化合物并用。R^12Si(OR^2)2…(I)(式中，R^1为碳数1～4之烷基或苯基，R^2为碳数1～4之烷基。)R^3Si(OR^4)3…(II)(式中，R^3为碳数1～4之烷基或苯基，R^4为碳数1～4之烷基。)Si(OR^5)4…(III)(式中，R^5为碳数1～4之烷基。) |
