电浆活跃化学气相沈淀、矽氮化物或矽氧氮化物之沈积方法、层排列之制造方法及层排列

摘要

本发明系关于电浆加强化学气相沉积(PECVD)方法，其系用以沉积氮化矽或氧氮化矽，亦关于制造一层排列之方法及一层排列。在沉积氮化矽于基板上之电浆加强化学气相沉积方法中，矽烷，氨及氮用来作为前驱物，该矽烷与氨之流速比值设定为在1：20与6：5之间，该矽烷与氮之流速比值设定为1：40与3：5之间。