| 摘要 |
本发明提出一种半导体结构之制造方法，其步骤如下：准备一个半导体基材(1)；在半导体基材(1)的表面上设置位于下方的第一个罩幕层(5)、位于中间的第二个罩幕层(7)、以及位于上方的第三个罩幕层(9)；在位于上方的第三个罩幕层(9)内至少形成第一种窗口(11，11a--11h)；利用位于上方的第三个罩幕层(9)内的第一种窗口(11，11a--11h)对位于中间的第二个罩幕层(7)进行结构化，将第一种窗口(11，11a--11h)复制到位于中间的第二个罩幕层(7)；利用位于中间的第二个罩幕层(7)内的第一种窗口(11，11a--11h)对位于下方的第一个罩幕层(5)进行结构化，将第一种窗口(11，11a--11h)复制到位于下方的第一个罩幕层(5)；扩大位于上方的第三个罩幕层(9)内的第一种窗口(11，11a--11h)，以便在一个未使用罩幕的制造步骤中在位于上方的第三个罩幕层(9)内形成第二种窗口(13，13a--13b)；利用位于上方的第三个罩幕层(9)内的第二种窗口(13，13a--13b)重新结构化位于中间的第二个罩幕层(7)的结构，以便将第二种窗口(13，13a--13b)复制到位于中间的第二个罩幕层(7)；利用经过结构化的位于下方的第一个罩幕层(5)对半导体基材(1)进行结构化；利用位于中间的第二个罩幕层(7)内的第二种窗口(13，13a--13b)重新结构化位于下方的第一个罩幕层(5)的结构；利用经过重新结构化的位于下方的第一个罩幕层(5)重新结构化半导体基材(1)。 |
