发明名称 平坦化一半导体晶圆表面之方法
摘要 一种平坦化一晶圆表面之方法,其包含,首先,舖设一光阻层至不规则晶圆表面上以均匀地涂覆晶圆上所不欲之地势,藉此提供一光阻层上表面,其实质上系为平坦的,及第二,以一实质上相同的速度蚀刻该光阻及介电层。光阻的可流动性确保该光阻可均匀地散布在不规则表面上以达到一实质平坦的上表面。该介电层系较佳地被进一步蚀刻直到该层的厚度系为后续制造所需要的。在一实施例中,蚀刻剂可包括氧化物、多晶矽、金属、光阻及聚亚醯胺蚀刻剂中任何一种或该等的组合。氧化物蚀刻剂可采用来蚀刻介电材料,而多晶矽及金属蚀刻剂可采用来蚀刻包含导电结构或材料之层。
申请公布号 TW200403740 申请公布日期 2004.03.01
申请号 TW092120076 申请日期 2003.07.23
申请人 第一晶圆制造()股份有限公司 发明人 白载学
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 马来西亚
您可能感兴趣的专利