| 摘要 |
本发明揭示一种在一单一制程中在一单一基材上具有金属闸极及多晶矽闸极之电晶体的半导体结构及用以形成该结构之方法。该方法形成一闸极介电层在该基材上，及形成该金属种子层在该闸极氧化层上。该方法使该金属种子层图案化，以便在该基材之上的金属闸极种子区域中留下金属种子材料。接着，该方法将一多晶矽层图案化成多晶矽结构于该基材之上。某些该等多晶矽结构包含牺牲多晶矽结构于该金属闸极种子区域上，及该等多晶矽结构之其余部分系包含该等多晶矽闸极。该等多晶矽闸极之图案化形成该等牺牲闸极于所有该等金属闸极种子区域之上。接在之后，本发明形成侧壁间隔物，及源极及汲极区域邻近于该等多晶矽结构。然后，本发明保护该等多晶矽闸极，移除该等牺牲多晶矽结构，及电镀该等金属闸极种子区域以形成该等金属闸极。该侧壁间隔物自我对准该等金属闸极。该电镀制程形成纯金属之金属闸极。所有会将该温度提升到该金属之损坏临界处之热处理系在该电镀制程之前就先执行。 |
