具有重组区域之载矽绝缘体型场效电晶体及形成该场效电晶体之方法

摘要

本发明揭示SOI电晶体元件及其制造方法，其中高浓度的稳态点缺陷系藉由包括在具有些微晶格差异的主动电晶体区域内的区域而产生。在一特定具体实施例中，因为在热处理电晶体元件时，将矽锗层的应力缓和，所以矽锗层则能够设置于具有高浓度点缺陷的主动区域中。由于点缺陷，重组率则可明显地增加，藉此而减少储存于主动区域中电荷载子的数目。