蚀刻方法

摘要

课题提供一种蚀刻方法，即使在乾式制程里也能够扩大蚀刻遮罩图案的沟面宽度。解决手段本发明系一种蚀刻方法，其系为至少在表面上露出矽基板及氮化矽膜的半导体基板之蚀刻方法，其特征系包括：氧化制程，以O2气体做为反应气体，把电浆放电所激发的活性化物质喷在半导体基板上，将矽基板及氮化矽膜从露出面氧化一既定膜厚；以及蚀刻制程，用至少含有O2气体及CH2F2气体的反应气体，对氧化制程所氧化的半导体基板进行电浆蚀刻。