制造半导体装置的方法及形成图案的方法

摘要

本发明提供一种制造半导体装置之方法，其包含于基材上形成用以形成图案之层合膜之步骤，其中，此用以形成图案之层合膜包含最内层、内层及表面层，此最内层之消光系数k系0.3或更多，且此内层之消光系数k系0.12或更多。亦提供一种形成图案之方法，其包含于基材上形成用以形成图案之层合膜之步骤，其中，此用以形成图案之层合膜包含最内层、内层及表面层，此最内层之消光系数k系0.3或更多，且此内层之消光系数k系0.12或更多。