抗蚀膜图案加厚材料,抗蚀膜图案之形成方法,以及半导体装置之制造方法

摘要

本发明系提供一种不管其材料或大小均可使欲予加厚之抗蚀膜图案加厚以形成精细间隔图案，超越曝光光源之曝光极限之抗蚀膜图案加厚材料。此抗蚀膜图案加厚材料包括：树脂；交联剂；以及含氮化合物。在本发明之抗蚀膜图案之形成方法中，在欲予加厚之抗蚀膜图案的表面上施加此抗蚀膜图案加厚材料，由而形成抗蚀膜图案。本发明之半导体装置之制造方法包含：在形成在基底层上之欲予加厚之抗蚀膜图案的表面上施加此加厚材料，以使欲予加厚之抗蚀膜图案加厚并形成抗蚀膜图案；以及使用抗蚀膜图案藉由蚀刻使基底层图案化。