凸块制程

摘要

一种凸块制程，系用以形成复数个凸块于一晶圆之主动表面上。该晶圆之主动表面具有复数个接点，另有一保护层配置在晶圆之主动表面上以暴露出该接点。凸块制程系首先形成一球底金属层于晶圆之主动表面上，覆盖接点及保护层；图案化球底金属层，以使该球底金属层仅残留位在该等接点上；接着，再形成一光阻到晶圆之主动表面上，该光阻系具有复数个开口以暴露出球底金属层；之后，填入多个表面具有固态助焊剂之焊球于开口中并进行一回焊制程，以使焊球分别与球底金属层接合；最后，再将光阻去除以完成凸块制程。伍、(一)、本案代表图为：图7(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：210 晶圆212 主动表面214 保护层216 接点220 球底金属层230 光阻232 开口240 固态助焊剂250 焊球

主权项

1.一种凸块制程,用以形成复数个凸块于一晶圆上,该晶圆具有一主动表面,该主动表面上配置有一保护层及复数个接点,该保护层系暴露出该等接点,该凸块制程包括:形成一球底金属层于该晶圆之该主动表面上,覆盖该等接点及该保护层;图案化该球底金属层以使该球底金属层仅残留位在该等接点上;形成一高分子聚合物于该晶圆之该主动表面上,该高分子聚合物具有复数个开口以暴露出该球底金属层;填入复数个焊球于该等开口中,该等焊球之表面系具有一固态助焊剂;进行一回焊制程,使该等焊球分别与该球底金属层接合;以及去除该高分子聚合物。2.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该高分子聚合物系为光阻。3.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该高分子聚合物系为一厚膜。4.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该高分子聚合物系以旋涂的方式形成到该晶圆之该主动表面上。5.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该高分子聚合物系以贴合的方式形成到该晶圆之该主动表面上。6.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该等焊球的材质系为锡铅合金。7.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该等焊球的材质系为无铅合金。8.如申请专利范围第7项所述之凸块制程,其中该等焊球的材质系选自于由锡、金、银、铜、镁、铋、锑、铟及锌等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。9.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该接点之主成分材质系为铜。10.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该等接点之主成分材质系为铝。图式简单说明:图1至图4绘示习知凸块制程对应于晶圆表层凸块部份之剖面放大示意图。图5为至图9绘示依照本发明一较佳实施例之凸块制程对应于晶圆表层凸块部份之剖面放大示意图。