| 主权项 |
1.一种具抗反射层之发光二极体,至少包括:一第一电性欧姆金属电极;一基板,位于该第一电性欧姆金属电极上;一半导体磊晶结构,位于该基板上;一视窗层,位于该半导体磊晶结构上;一第二电性欧姆金属电极,位于一部分之该视窗层上;以及一抗反射层,至少位于另一部分之该视窗层上。2.如申请专利范围第1项所述之具抗反射层之发光二极体,其中该基板之材质为第一电性砷化镓(GaAs)。3.如申请专利范围第1项所述之具抗反射层之发光二极体,其中该半导体磊晶结构至少包括一第一电性局限层、一主动层、以及一第二电性局限层之一堆叠结构。4.如申请专利范围第3项所述之具抗反射层之发光二极体,其中该第一电性局限层、该主动层、以及该第二电性局限层之材质为磷化铝镓铟(AlGaInP)。5.如申请专利范围第1项所述之具抗反射层之发光二极体,其中该视窗层之材质为第二电性磷化镓(GaP)。6.如申请专利范围第1项所述之具抗反射层之发光二极体,其中该基板与该半导体磊晶结构间更包括一缓冲层。7.如申请专利范围第6项所述之具抗反射层之发光二极体,其中该缓冲层之材质为第一电性砷化镓。8.如申请专利范围第1项所述之具抗反射层之发光二极体,其中该抗反射层之折射系数(Refractive Index)介于3至1.5间。9.如申请专利范围第8项所述之具抗反射层之发光二极体,其中该抗反射层之材质为氮化矽(Si3N4)或硒化锌(ZnSe)。10.一种具抗反射层之发光二极体之制造方法,至少包括:提供一基板;形成一半导体磊晶结构于该基板上;形成一视窗层于该半导体磊晶结构上;分别形成一第一电性欧姆金属电极与一第二电性欧姆金属电极于该基板之一下表面上与一部分之该视窗层上;以及形成一抗反射层,其中该抗反射层至少位于另一部分之该视窗层上。11.如申请专利范围第10项所述之具抗反射层之发光二极体之制造方法,其中该基板之材质为第一电性砷化镓。12.如申请专利范围第10项所述之具抗反射层之发光二极体之制造方法,其中该半导体磊晶结构至少包括一第一电性局限层、一主动层、以及一第二电性局限层之一堆叠结构。13.如申请专利范围第12项所述之具抗反射层之发光二极体之制造方法,其中该第一电性局限层、该主动层、以及该第二电性局限层之材质为磷化铝镓铟。14.如申请专利范围第10项所述之具抗反射层之发光二极体之制造方法,其中该视窗层之材质为第二电性磷化镓。15.如申请专利范围第10项所述之具抗反射层之发光二极体之制造方法,其中该基板与该半导体磊晶结构间更包括一缓冲层。16.如申请专利范围第15项所述之具抗反射层之发光二极体之制造方法,其中该缓冲层之材质为第一电性砷化镓。17.如申请专利范围第10项所述之具抗反射层之发光二极体之制造方法,其中形成该抗反射层之方法为电浆增益化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;PECVD)、溅镀(Sputtering)、热蒸镀(Thermal Evaporation)、或电子束蒸镀(Electron-Beam Evaporation)。18.如申请专利范围第10项所述之具抗反射层之发光二极体之制造方法,其中该抗反射层之折射系数介于3至1.5间。19.如申请专利范围第18项所述之具抗反射层之发光二极体之制造方法,其中该抗反射层之材质为氮化矽或硒化锌。图式简单说明:第1图系绘示习知磷化铝镓铟发光二极体之结构剖面图;第2图系绘示本发明之一较佳实施例之具有抗反射层之发光二极体之结构剖面图;第3图系绘示当p型磷化镓视窗层之厚度为8m时,且改变不同的氮化矽抗反射层之厚度所得之波长与穿透率之关系图;第4图系绘示当氮化矽抗反射层之厚度固定在波长的1/4时,且改变不同的磷化镓视窗层之厚度所得之波长与穿透率之关系图;第5图系绘示当p型磷化镓视窗层之厚度为8m时,且改变不同的抗反射层之材料所得之波长与穿透率之关系图;以及第6图系绘示不具有抗反射层之习知发光二极体与本发明之具有抗反射层之发光二极体中注入电流与发光强度之比较关系图。 |
