| 主权项 |
1.一种消除气泡之监测系统,用于半导体研磨制程中,该监测系统至少包含:一输送装置,用以输送研浆;一气泡消除装置,连接于该输送装置,以接收该研浆,该气泡消除装置具有第一感测器及第一阀门,其中该第一感测器位于该第一阀门的侧边,该第一阀门位于该气泡消除装置的上端部,藉由该第一感测器侦测该研浆的气泡,以利于该第一阀门排出该气泡;一流体计测装置,连接于该气泡消除装置,用于量测来自该气泡消除装置的该研浆之流量,并且利用该流体计测装置输送消除该气泡之该研浆至研磨装置中;以及一中央控制装置,分别耦合于该输送装置、该气泡消除装置及该流体计测装置,该中央控制装置控制该输送装置的该研浆输送,利用该气泡消除装置的该第一感测器,以即时排除该研浆的该气泡。2.如申请专利范围第1项所述之监测系统,其中该输送装置至少包含线性帮浦。3.如申请专利范围第1项所述之监测系统,其中该气泡消除装置更包含第二感测器,该第二感测器位于该气泡消除装置的出口附近,以侦测经过该流体计测装置的该研浆之该气泡。4.如申请专利范围第1项所述之监测系统,其中该气泡消除装置更包含第二感测器,该第二感测器位于该气泡消除装置的入口附近,以侦测该输送装置的该研浆之该气泡。5.如申请专利范围第1项所述之监测系统,其中该气泡消除装置更包含第二阀门,该第二阀门位于该第一阀门的异侧,以有效排除该研浆的该气泡。6.一种具有气泡消除装置之监测系统,用于监测输送装置传送的研浆,该监测系统至少包含:一气泡消除装置,连接于该输送装置,以接收该研浆,该气泡消除装置具有第一感测器及第一阀门,其中该第一感测器位于该第一阀门的侧边,该第一阀门位于该气泡消除装置的上端部,藉由该第一感测器侦测该研浆的该气泡,以利于该第一阀门排出该气泡;一流体计测装置,连接于该气泡消除装置,用于量测来自该气泡消除装置的该研浆之流量,并且利用该流体计测装置输送消除该气泡之该研浆至研磨装置中;以及一中央控制装置,分别耦合于该输送装置、该气泡消除装置及该流体计测装置,该中央控制装置控制该输送装置的该研浆输送,利用该气泡消除装置的该第一感测器,以即时排除该研浆的该气泡。7.如申请专利范围第6项所述之监测系统,其中该气泡消除装置更包含第二感测器,该第二感测器位于该气泡消除装置的出口附近,以侦测经过该流体计测装置的该研浆之该气泡。8.如申请专利范围第6项所述之监测系统,其中该气泡消除装置更包含第二感测器,该第二感测器位于该气泡消除装置的入口附近,以侦测该输送装置的该研浆之该气泡。9.如申请专利范围第6项所述之监测系统,其中该气泡消除装置更包含第二阀门,该第二阀门位于该第一阀门的异侧,以有效排除该研浆的该气泡。10.一种气泡消除装置,用于半导体研磨制程中,该气泡消除装置至少包含:一容器主体,用以储存研浆,该容器主体具有入口及出口,其中该入口用于注入该研浆,该出口用于输出研浆;一第一阀门,位于该容器主体的上端部,该第一阀门用于排出该研浆的该气泡;一第一感测器,位于该第一阀门的侧边,用于感测该容器主体内的该气泡。11.如申请专利范围第10项所述之气泡消除装置,更包含第二感测器,该第二感测器位于该容器主体的该出口附近,以侦测该容器主体内该研浆的该气泡。12.如申请专利范围第10项所述之气泡消除装置,更包含第二感测器,该第二感测器位于该容器主体的该入口附近,以侦测该容器主体内该研浆的该气泡。13.如申请专利范围第10项所述之气泡消除装置,更包含第二阀门,该第二阀门位于该第一阀门的异侧,以有效排除该容器主体内该研浆的该气泡。14.一种气泡消除装置,该气泡消除装置至少包含:一容器主体,用以储存研浆,该容器主体具有入口及出口,其中该入口用于注入该研浆,该出口用于输出研浆;一第一阀门,位于该容器主体的上端部,该第一阀门用于排出该研浆的该气泡;一第一感测器,位于该第一阀门的侧边,用于感测该容器主体内的该气泡;以及一第二感测器,位于该容器主体的该出口附近,以侦测该容器主体内该研浆的该气泡。15.如申请专利范围第14项所述之气泡消除装置,更包含第二阀门,该第二阀门位于该第一阀门的异侧,以有效排除该容器主体内该研浆的该气泡。16.一种用于半导体研磨制程的研浆输送方法,以消除研浆中的气泡,至少包含下列步骤:输入该研浆;利用一气泡消除装置接收该研浆,其中该气泡消除装置设有一第一感测器及一第一阀门;排出该研浆中的气泡,利用一中央控制装置调控该气泡消除装置的该第一阀门,以排出该气泡;以及量测来自该气泡消除装置的该研浆之流量,以流体计测装置量测该研浆的流量,并且利用中央控制装置控制该研浆的输送。17.如申请专利范围第16项所述之半导体研磨制程的研浆输送方法,在该接收该研浆步骤之后,更包含侦测该研浆中的气泡,以该中央控制装置控制该气泡消除装置之该第一感测器侦测该研浆中的该气泡。18.如申请专利范围第16项所述之半导体研磨制程的研浆输送方法,其中该输入研浆的步骤中,至少包含使用线性帮浦输送该研浆。19.如申请专利范围第16项所述之半导体研磨制程的研浆输送方法,该侦测该研浆中的该气泡步骤中,至少包含侦测该气泡消除装置入口附近的该气泡。20.如申请专利范围第16项所述之半导体研磨制程的研浆输送方法,该侦测该研浆中的该气泡步骤中,至少包含侦测该气泡消除装置出口附近的该气泡。图式简单说明:第1图绘示习知技术之输送研浆的流量控制系统之示意图;第2图绘示依据本发明具有气泡消除装置之监测系统的示意图;以及第3图绘示依据本发明第2图监测系统之气泡消除装置的示意图。第4图绘示依据本发明之具有消除气泡功能的半导体研磨制程之研浆输送方法的操作流程图。 |
