发明名称 乾式蚀刻电极及防蚀方法
摘要 一种乾式蚀刻电极之防蚀方法,用以防止一乾式蚀刻电极被腐蚀而影响蚀刻品质,其主要系在静电吸附盘、电极等乾式蚀刻设备表面上黏附一层耐蚀材料,以防止乾式蚀刻设备被腐蚀。伍、(一)、本案代表图为:第4图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明:101~承载盘; 103~胶质层;105~底座; 106~上表面;107~第一侧壁; 108~第二侧壁;109~承载面; 120~覆盖环;150~耐蚀材料。
申请公布号 TW578232 申请公布日期 2004.03.01
申请号 TW092100034 申请日期 2003.01.02
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 林政铭
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路四段二七九号三楼;颜锦顺 台北市大安区信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种乾式蚀刻电极,包括:一底部,该底部包括一上表面;一凸出部,设于该底部上,该凸出部包括一承载面以及一侧壁;以及一防蚀胶膜,设于该上表面、该承载面以及该侧壁。2.如申请专利范围第1项所述之乾式蚀刻电极,其中,该防蚀胶膜的材料为聚醯亚胺。3.如申请专利范围第1项所述之乾式蚀刻电极,其中,该防蚀胶膜的材料为全芳香族聚醯亚胺。4.一种乾式蚀刻电极,包括:一底座,该底座包括一底部以及一凸出部,该底部包括一上表面,该凸出部包括一第一侧壁;一承载盘,设于该凸出部上,该承载盘包括一第二侧壁以及一承载面;以及一防蚀胶膜,设于该上表面、该承载面、该第一侧壁以及该第二侧壁。5.如申请专利范围第4项所述之乾式蚀刻电极,其中,该乾式蚀刻电极为一静电吸附盘。6.如申请专利范围第4项所述之乾式蚀刻电极,其中,该防蚀胶膜的材料为聚醯亚胺。7.如申请专利范围第4项所述之乾式蚀刻电极,其中,该防蚀胶膜的材料为全芳香族聚醯亚胺。8.一种乾式蚀刻电极防蚀方法,包括下述步骤:提供一乾式蚀刻电极;在该乾式蚀刻电极表面上黏附一层耐蚀材料,以防止该电极被腐蚀。9.如申请专利范围第8项所述之乾式蚀刻电极防蚀方法,其中,该耐蚀材料黏附于该电极之一晶圆承载面。10.如申请专利范围第9项所述之乾式蚀刻电极防蚀方法,其中,该耐蚀材料黏附于该电极之该晶圆承载面的边缘。11.如申请专利范围第8项所述之乾式蚀刻电极防蚀方法,其中,该耐蚀材料黏附于一电极侧壁。图式简单说明:第1图系显示静电吸附盘的俯视图;第2图系显示静电吸附盘以及其周边零件的设置状态图;第3图系显示静电吸附盘遭侵蚀而损耗的状态图;第4图系显示本发明之防蚀方法的实施状态图;第5a图系显示晶圆直接固定于电极的乾蚀刻机台之设置状态图;第5b图系显示本发明之防蚀方法于晶圆直接固定于电极的乾蚀刻机台之实施状态图;第6图系显示本发明之防蚀胶膜的立体图。
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路六六九号