发明名称 用于快闪记忆体中的升压电路
摘要 本发明所揭露之升压电路包括一驱动电路,其用来产生突跳信号(Kick Signal),以在读取/程序操作模式期间经由在一快闪记忆体阵列单元中之列解码器电路来驱动字元线。此驱动电路使一大激增电容器(BoosterCapacitor)之二个电极具有相同电压,以便允许一小充电泵,更进一步在程序(Programming)期间激增字元线电压。
申请公布号 TW578155 申请公布日期 2004.03.01
申请号 TW088108624 申请日期 1999.05.26
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 崔寿焕;林瀛湖
分类号 G11C16/00 主分类号 G11C16/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种升压器电路,其用来在一字元线供应节点上产生一升压供应电压,该升压供应电压比一电源供应电压要高,以便在读取/程序操作模式期间经由一快闪EEPROM记忆体阵列单元中之列解码器电路来驱动字元线,该升压器电路包括:预充电装置,其以选择性地将电源供应电压连接到字元线供应节,以回应一预充电信号;充电泵装置,其用来在程序操作模式期间将该字元线供应节点激增到一用来界定一程序准位之较高字元线电压,以回应一致能信号;以及驱动装置,其选择性地在一输出节点上产生一三-状态输出电压,以驱动一激增电容器,以回应该致能信号及一突跳条信号;其中该激增电容器是连接于驱动装置之输出节点及字元线供应节点之间,以及该驱动装置产生该三-状态输出电压,该三-状态输出电压在一预充电操作模式期间为一低准位状态,在读取操作模式为一高准位模式,以及在程序操作模式为一字元线电压状态;其中,该驱动装置包括:一第一开关电晶体,其连接于输出节点与接地电压间;一第一开关控制器,其使该第一开关电晶体导通或不导通,以回应该致能及突跳条信号;一第二开关电晶体,其连接于该电源供应电压及该输出节点;一第二开关控制器,其用来使该第二开关电晶体导通或不导通,以回应该致能及突跳条信号;一第三开关电晶体,其连接于该字元线电压及输出节点;一第三开关控制器,其用来使该第三开关电晶体导通或不导通,以回应该致能信号。2.如申请专利范围第1项所述之升压器电路,其中该预充电装置包括一PMOS电晶体,其具有连接到该电源供应电压之源极、连接到该预充电信号之闸极、连接到该字元线供应节点之汲极。3.如申请专利范围第2项所述之升压器电路,更包括一预充电逻辑电路装置,其用来产生为一低准位状态之该预充电信号,以便在读取操作模式前将该字元线供应节点预充电至该电源供应电压。4.如申请专利范围第1项所述之升压器电路,其中该预充电泵装置包括一高电压充电泵。5.如申请专利范围第1项所述之升压器电路,其中该第一开关包括一N通道下拉电晶体,其中该二及该第三开关个别包括一P通道上拉电晶体。6.如申请专利范围第1项所述之升压器电路,更包括:一第四开关电晶体,其连接于该二开关电晶体及该输出节点之间;一第五开关电晶体,其连接于该电源供应电压及该第四开关电晶体本体之间;以及一第六开关电晶体,其连接于该四开关电晶体本体及该字元线电压之间;其中当第三开关控制器关闭该第三及第六开关电晶体时,该第三开关控制器打开该第四及第五开关电晶体,反之亦然。图式简单说明:第1图系显示出一传统升压电路之简化方块图;第2(a)-2(e)图系显示出在一读取操作模式期间第1图之传统升压电路中不同点之电压的时序图;第3(a)-3(e)图系显示出在一程序操作模式期间第1图之传统升压电路中不同点之电压的时序图;第4图系显示出依据本发明之原理所建构之一快闪、三状态升压电路之简化方块图;第5图系显示出第4之预充电逻辑电路之详细电路图;第6图系显示出第4图之三-状态驱动电路之详细电路图;以及第7(a)-7(e)图系显示出在程序操作模式期间第4图中之电路之不同点电压之时序图。
地址 韩国