| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,包括步骤有:(a)形成绝缘膜于半导体基板上;(b)形成线路沟延伸至该绝缘膜;(c)形成第一导电膜,以覆盖该线路沟的内面及覆盖该绝缘膜;(d)形成第二导电膜,以填满线路沟及覆盖第一导电膜;(e)藉由化学机械研磨(CMP, chemical mechanical polishing)去除该第二导电膜直到将该第一导电膜的表面露出;(f)藉由利用第一溶液将该第二导电膜的表面研磨,以致于将用以保护该第二导电膜的第一保护膜形成;及(g)藉由CMP去除该第一导电膜及该第二导电膜直到将该绝缘膜的表面露出。2.根据申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,进一步包括步骤有:(h)藉由利用第二溶液将该第二导电膜的该表面研磨,以致于将用以保护该第二导电膜的第二保护膜形成。3.根据申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中该第一溶液为含苯并三唑或苯并三唑衍生物的水溶液。4.根据申请专利范围第2项之半导体装置的制造方法,其中该第二溶液为含苯并三唑或苯并三唑衍生物的水溶液。5.根据申请专利范围第3项之半导体装置的制造方法,其中该苯并三唑或该苯并三唑衍生物于该水溶液中的浓度为0.1至0.01重量%。6.根据申请专利范围第5项之半导体装置的制造方法,其中该第二导电膜包含有铜。7.一种半导体装置的制造方法,包括步骤有:(i)以具有用以进行CMP之平台的第一平台单元提供一半导体基板,其中该半导体基板包含有绝缘膜、延伸至该绝缘膜的线路沟、形成来覆盖该线路沟的内面及覆盖该绝缘膜的第一导电膜、及形成来填满该线路沟及覆盖该第一导电膜的第二导电膜;(j)藉由CMP去除该第二导电膜直到将该第一导电膜的表面露出;(k)藉由利用第一溶液将该第二导电膜的表面研磨,以致于将用以保护该第二导电膜的第一保护膜形成;(l)自第一平台单元移动半导体基板至第二平台单元;及(m)藉由CMP去除该第一导电膜及该第二导电膜直到将该绝缘膜的表面露出。8.根据申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中将该第一平台单元与该第二平台单元设置于相同装置内。9.根据申请专利范围第8项之半导体装置的制造方法,进一步包括步骤有:(n)藉由利用第二溶液将该第二导电膜的该表面研磨,以致于将用以保护该第二导电膜的第二保护膜形成。10.根据申请专利范围第8项之半导体装置的制造方法,其中该第一溶液为含苯并三唑或苯并三唑衍生物的水溶液。11.根据申请专利范围第9项之半导体装置的制造方法,其中该第二溶液为含苯并三唑或苯并三唑衍生物的水溶液。12.根据申请专利范围第10项之半导体装置的制造方法,其中该苯并三唑或该苯并三唑衍生物于该水溶液中的浓度为0.1至0.01重量%。13.根据申请专利范围第12项之半导体装置的制造方法,其中该第二导电膜由铜组成。14.一种半导体装置的制造方法,包括步骤有:(o)形成绝缘膜于半导体基板上;(p)形成线路沟延伸至该绝缘膜;(q)形成第一导电膜以覆盖该线路沟的内面及覆盖该绝缘膜;(r)形成第二导电膜以填满线路沟及覆盖第一导电膜;(s)藉由化学机械研磨(CMP, chemical mechanical polishing)于第一个条件下去除该第二导电膜直到将该第一导电膜的表面露出;(t)藉由利用第一溶液形成第一保护膜于该第二导电膜的表面上,用以保护该第二导电膜;及(u)藉由CMP于第二个条件下去除该第一导电膜及该第二导电膜直到将该绝缘膜的表面露出。15.根据申请专利范围第14项之半导体装置的制造方法,其中该第一个条件不同于该第二个条件。16.根据申请专利范围第15项之半导体装置的制造方法,进一步包括步骤有:(v)藉由利用第二溶液形成第二保护膜于该第二导电膜的该表面上,用以保护该第二导电膜。17.根据申请专利范围第15项之半导体装置的制造方法,其中该第一溶液为含苯并三唑或苯并三唑衍生物的水溶液。18.根据申请专利范围第16项之半导体装置的制造方法,其中该第二溶液为含苯并三唑或苯并三唑衍生物的水溶液。19.根据申请专利范围第17项之半导体装置的制造方法,其中该苯并三唑或该苯并三唑衍生物于该水溶液中的浓度为0.1至0.01重量%。20.根据申请专利范围第19项之半导体装置的制造方法,其中该第二导电膜包含有铜。图式简单说明:图1A至1D为横剖面图,显示先前技艺中制造半导体装置的步骤;图2A至2D为横剖面图,显示根据本发明,于半导体装置的具体进行例中,制造半导体装置的步骤;图3为根据本发明关于半导体装置之CMP方法的概念图;及图4为略图,显示根据本发明关于半导体装置之CMP方法。 |
