| 主权项 |
1.一种用以在一基板(2)上沉积氮化矽之方法,其中该基板(2)系于一烤箱(1)中在该热效应(见4)下曝露至一包含一矽成分及另一氮成分之流体,其中在该烤箱(1)中之温度系设定至约600℃到645℃。2.一种用以在一基板(2)上沉积氮化矽之方法,其中该基板(2)系于一烤箱(1)中在该热效应(见4)下曝露至一包含一矽成分及一氮成分(N2)之流体,其中在该烤箱(1)中之温度系设定最高至约650℃。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该温度系设定至约620℃。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中二氯矽烷系使用做为该矽成分且氨系使用做为该氮成分。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其中一矽基板系使用做为该基板。6.如申请专利范围第1项之方法,其中一包含氨之成分系使用当做该另一成分。7.如申请专利范围第6项之方法,其中氨系使用当做该含氨成分。图式简单说明:图1系显示一三维氮化矽烤箱结构。 |
