| 主权项 |
1.一种微影术用金钢石膜之制造方法,其特征系于矽基板上之表面整体形成基底膜后,该基底膜上以甲烷气、氢气、氧气之混合气做为原料气体,形成金钢石膜后,蚀刻去除背面之基底膜之一部份,蚀刻去除矽基板后,接着蚀刻去除基底膜。2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该基底膜系选自氧化矽、氮化矽、碳化矽、碳化钨、氮化硼、氮化铝、氧化铝、氧化钛、氧化锆、钽(Ta)、钌(Ru)、铬(Cr)、钨(W)之1种或2种以上所成者。3.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该矽基板以硷性水溶液进行蚀刻,该基底膜以酸性水溶液进行蚀刻。4.如申请专利范围第1项之制造方法,其系使用原料气体之混合比系甲烷气之量为0.1体积%-20体积%,氢气量为70体积%-99.89体积%,氧气之量为0.01体积%-10体积%之原料气体。5.如申请专利范围第1项之制造方法,其系藉由微波CVD法或热白热丝CVD法,以基板之表面温度为700℃-1200℃进行成膜。6.一种微影术用遮掩膜之制造方法,其特征系于矽基板上之表面整体形成基底膜后,藉由气体流动化之金钢石粒子接触该基底膜表面,再于该基底膜上使金钢石膜成长后,蚀刻去除背面之基底膜之一部份,蚀刻去除矽基板,接着蚀刻去除基底膜。7.如申请专利范围第6项之制造方法,其中该基底膜系由选自氧化矽、氮化矽、碳化矽、碳化钨、氮化硼、氮化铝、氧化铝、氧化钛、氧化锆、钽(Ta)、钌(Ru)、铬(Cr)、钨(W)之1种或2种以上者所成。8.如申请专利范围第6项之制造方法,其中该矽基板以硷性水溶液进行蚀刻,该基底膜以酸性水溶液进行蚀刻。图式简单说明:[图1]代表本发明制造方法所使用之微波CVD装置概略图者。[图2](a)-(f)系代表藉由本发明制造微影术用金钢石膜之步骤之1例。[图3](a)-(f)系代表藉由本发明制造微影术用遮掩膜之步骤者。[图4]代表本发明中金钢石粒子流动化处理装置之概略图者。 |
