| 主权项 |
1.一种适用于双层镶嵌加工的半导体结构,包含以叠层方式形成之上及下低介电常数层,其中该下层的上表面有一体的蚀刻中止层,该中止层是在该上层之沈积之前,在无需任何先前退火之下,藉由将该下层的上表面暴露于H2电浆中所形成。2.如申请专利范围第1项的结构,其中至少该下介电层材料是SiCHO型的材料。3.如申请专利范围第1项或第2项的结构,其中至少该下层的材料是由四甲基矽烷及氧气反应所形成。4.如申请专利范围第1或2项的结构,其中该蚀刻中止层的厚度是低于1000。5.一种蚀刻介电层的方法,包含使用一表层以做为一蚀刻中止层,该表层系藉由将SiCHO型低介电常数材料的H2电浆处理所形成。6.如申请专利范围第5项的方法,其中该蚀刻形成部分的镶嵌制程。图式简单说明:第1图是显示适用于双层镶嵌加工的习知配置的片断截面图;第2图是解说本发明之方法的对等图;第3图是对应于第2图的图,但其中蚀刻元件已部份偏离;以及第4图为TMS和O2沉积薄膜的SIM曲线图,该薄膜已利用H2电浆处理5分钟。 |
