| 主权项 |
1.一种用于射频功率放大器之偏压电路,该射频功率放大器包括一射频电晶体与一第一电容,其中该射频电晶体具有一集极、一射极、与一基极,而该第一电容之一端连接于该射频电晶体之该基极且另一端用以接收一射频输入信号,该偏压电路包含:一偏压电晶体,具有一集极、一射极、与一基极,其中该集极连接至一直流电压源且该基极连接至一偏压电压源;以及一第二电容,连接于该偏压电晶体之该射极与地面间,用以使该射频输入信号中之耦合至该偏压电晶体的部分被直接导入地面,藉而防止该偏压电晶体被驱动至饱和状态。2.如申请专利范围第1项之用于射频功率放大器之偏压电路,更包含一第三电容,连接于该偏压电晶体之该基极与地面间,用以使该射频输入信号中之耦合至该偏压电晶体的部分被直接导入地面,藉而防止该偏压电晶体被驱动至饱和状态。3.如申请专利范围第1项之用于射频功率放大器之偏压电路,更包含一电感,连接于该射频电晶体之该基极与该偏压电晶体之该射极间,用以隔绝该射频输入信号中之耦合至该偏压电晶体的部分。4.如申请专利范围第1项之用于射频功率放大器之偏压电路,其中该偏压电压源包含:一电阻,连接于一供应电压与该偏压电晶体之该基极间;复数个二极体,串联于该偏压电晶体之该基极与地面间,用以提供一预定的电压给予该偏压电晶体之该基极。5.如申请专利范围第4项之用于射频功率放大器之偏压电路,其中该复数个二极体中之每一个系由一电晶体以其基极连接于其集极之方式所形成。6.一种用于射频功率放大器之偏压电路,该射频功率放大器包括一射频电晶体与一第一电容,其中该射频电晶体具有一集极、一射极、与一基极,而该第一电容之一端连接于该射频电晶体之该基极且另一端用以接收一射频输入信号,该偏压电路包含:一偏压电晶体,具有一集极、一射极、与一基极,其中该集极连接至一直流电压源且该基极连接至一偏压电压源;以及一第二电容,连接于该偏压电晶体之该基极与地面间,用以使该射频输入信号中之耦合至该偏压电晶体的部分被直接导入地面,藉而防止该偏压电晶体被驱动至饱和状态。7.如申请专利范围第6项之用于射频功率放大器之偏压电路,更包含一电感,连接于该射频电晶体之该基极与该偏压电晶体之该射极间,用以隔绝该射频输入信号中之耦合至该偏压电晶体的部分。8.如申请专利范围第6项之用于射频功率放大器之偏压电路,其中该偏压电压源包含:一电阻,连接于一供应电压与该偏压电晶体之该基极间;复数个二极体,串联于该偏压电晶体之该基极与地面间,用以提供一预定的电压给予该偏压电晶体之该基极。9.如申请专利范围第8项之用于射频功率放大器之偏压电路,其中该复数个二极体中之每一个系由一电晶体以其基极连接于其集极之方式所形成。图式简单说明:图1系显示用于射频功率放大器之习知的偏压电路之一例子之示意图;图2系显示用于射频功率放大器之习知的偏压电路之另一例子之示意图;以及图3(a)与3(b)系显示依据本发明之用于射频功率放大器之偏压电路之示意图。 |
