| 主权项 |
1.一种制造至少一金属内连线之方法,系包括有:提供一结构,其系具有至少一暴露的传导结构;形成一非黏滞材料层覆盖于该结构及至少一暴露的传导结构上;该非黏滞材料层系具有一上表面;图案化该非黏滞材料层,以形成一图案化非黏滞材料层,该黏滞材料层系具有至少一沟槽贯穿于其中,以暴露出至少一部份的至少一传导结构;形成一金属内连线,以接触在至少一沟槽中的至少一传导结构暴露部分,其中该图案化非黏滞材料层的非黏滞特性可防止金属的聚集,该金属包括有该图案化非黏滞材料层的图案化上表面上的金属内连线;该至少一金属内连线系具有一上表面;移除该图案化非黏滞材料层;及形成一平坦化介电层覆盖结构上,以暴露出该至少一金属内连线的该上表面。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该结构系为一矽基板;该至少一传导结构系选自于包括有由铜、铝、钨、金、银、铝合金及铜合金所组成的材料群组;该非黏滞材料层系由PFTE所组成;该金属内连线系选自于包括有由铜、铝、钨、金、银、铝合金和铜合金所组成的材料群组;并且该平坦化的介电层系选自于包括有由掺杂氧化矽、掺杂矽玻璃以及SiO2所组成的材料群组。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该结构系为一个矽基板;该至少一传导结构系由铜所组成;该金属内连线系由铜所组成;及该平坦化介电层系由FSG所组成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该非黏滞材料层形成达到一个厚度在1000埃到10,000埃之间、及该至少一金属内连线形成达到一个厚度在1000埃到10,000埃之间。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该非黏滞材料层形成达到一个厚度在3000埃到8,000埃之间、及该至少一金属内连线形成达到一个厚度在2000埃到8,000埃之间。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该至少一金属内连线系具有一高度、且该图案化非黏滞材料层系具有一个高度,其中该金属内连线高度系小于该图案化非黏滞材料层高度;且其中以暴露穿过平坦化介电层的该至少一金属内连线上表面系为非凹陷的。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在形成非黏滞材料层之前,一蚀刻阻绝层系形成覆盖于该结构及该至少一暴露的传导结构上,且该非黏滞材料层系形成覆盖于该蚀刻阻绝层上。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在形成非黏滞材料层之前,一蚀刻阻绝层系形成覆盖于该结构及该至少一暴露的传导结构上,且该非黏滞材料层系形成覆盖于该蚀刻阻绝层上;该蚀刻阻绝层系选自于包括有由氮化矽、氧化矽、氮氧化矽及碳化矽所组成的材料群组。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在形成非黏滞材料层之前,一蚀刻阻绝层系形成覆盖于该结构及该至少一暴露的传导结构上,且该非黏滞材料层系形成覆盖于该蚀刻阻绝层上;该蚀刻阻绝层由氮化矽所组成。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该至少一传导结构并无一阻障层形成于其上。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该非黏滞材料层系使用一种电浆辅助蚀刻制程而被图案化。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该非黏滞材料层系一种电浆辅助蚀刻制程而被图案化,该电浆辅助蚀刻制程亦移除形成于该至少一传导结构暴露部分上的任何氧化物。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该非黏滞材料层系一种电浆辅助蚀刻制程而被图案化,该电浆辅助蚀刻制程系使用包括有一种或多种选自于包括有由N2.H2.氨、O2.碳氟化合物、氟代碳化氢、碳氢化合物、氩气、氦气、BCl3.NF3以及氯气所组成的群组。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该非黏滞材料层系一种电浆辅助蚀刻制程而被图案化,该电浆辅助蚀刻制程系使用包括有一种或多种选自于包括有由N2.H2.氨、及O2所组成的群组。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该图案化非黏滞材料层系藉由使用于图案化该非黏滞材料层的相同制程而被移除。16.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在移除图案化非黏滞材料层之后及在形成平坦化介电层之前,一阻障层系形成覆盖于该结构及该至少一金属内连线上。17.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在移除图案化非黏滞材料层之后及在形成平坦化介电层之前,该至少一金属内连线系具有侧壁,且阻障层部份只形成覆盖于该至少一金属内连线侧壁上。18.一种制造至少一铜内连线之方法,系包括有:提供一结构,其系具有至少一暴露的传导电结构;形成一非黏滞PFTE层覆盖于该结构及该暴露的传导结构上;该非黏滞PFTE层系具有一上表面;图案化该非黏滞PFTE层,以形成具有一图案化PFTE层,该图案化PFTE层系具有至少一沟槽贯穿于其中,以暴露出于至少一部份的至少一传导结构;形成一铜内连线,以接触在至少一沟槽中的至少一传导结构暴露部分,其中该图案化非黏滞PFTE层的非黏滞特性可防止金属的聚集,该金属包括有包括该图案化非黏滞PFTE层的图案化上表面上的铜内连线;该至少一铜内连线系具有一上表面;移除该图案化非黏滞PFTE层;及形成一平坦化介电层覆盖于结构上,以暴露出该至少一铜内连线的该上表面。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该结构为一矽基板;该至少一传导结构系选自于包括由自铜、铝、钨、金、银、铝合金和铜合金所组成的材料群组出来的;且该平坦化的介电层系选自于包括有由掺杂氧化矽、FSG及SiO2所组成的材料群组。20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该结构为一矽基板;该至少一传导结构系由铜组成;且该平坦化的介电层系由FSG所组成。21.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该非黏滞氟聚合物层形成达到一个厚度在1000埃到10,000埃之间、及该至少一铜内连线形成达到一个厚度在1000埃到10,000埃之间。22.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该非黏滞PFTE层形成达到一个厚度在3000埃到8,000埃之间、及该至少一铜内连线形成达到一个厚度在2000埃到8,000埃之间。23.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该至少一铜内连线系具有一高度、且该图案化非黏滞PFTE层系具有一高度,其中该铜内连线高度系小于该图案化非黏滞PFTE层高度;且其中以暴露穿过平坦化介电层的该至少一铜内连线上表面系为非凹陷的。24.如申请专利范围第18项所述之方法,其中在形成非黏滞PFTE层之前,一蚀刻阻绝层系形成覆盖于该结构及该至少一暴露的传导结构上,且该非黏滞PFTE层系形成覆盖于该蚀刻阻绝层上。25.如申请专利范围第18项所述之方法,其中在形成非黏滞PFTE层之前,一蚀刻阻绝层系形成覆盖于该结构及该至少一暴露的传导结构上,且该非黏滞PFTE层形成覆盖于该蚀刻阻绝层上;该蚀刻阻绝层系选自于包括有由氮化矽、氧化矽、氮氧化矽及碳化矽所组成的材料群组。26.如申请专利范围第18项所述之方法,其中在形成非黏滞PFTE层之前,一蚀刻阻绝层系形成覆盖于该结构及该至少一暴露的传导结构上,且该非黏滞PFTE层系形成覆盖于该蚀刻阻绝层上;该蚀刻阻绝层系包括有氮化矽。27.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该至少一传导结构并无一阻障层形成于其上。28.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该非黏滞PFTE层系使用一种电浆辅助蚀刻制程而被图案化。29.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该非黏滞PFTE层系使用一种电浆辅助蚀刻制程而被图案化,该电浆辅助蚀刻制程亦移除形成于该至少一传导结构暴露部分上的任何氧化物。30.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该非黏滞PFTE层系使用一种电浆辅助蚀刻制程而被图案化,该电浆辅助蚀刻制程使用包括有一种或多种选自于包括有N2.H2.氨、O2.碳氟化合物、氟代碳化氢、碳氢化合物、氩气、氦气、BCl3.NF3及氯气所组成的群组。31.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该非黏滞PFTE层系使用一种电浆辅助蚀刻制程而被图案化,该电浆辅助蚀刻制程使用包括有一种或多种选自N2.H2.氨、O2所组成的群组。32.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该图案化非黏滞PFTE层系藉由使用于图案化该非黏滞材料层的相同制程而被移除。33.如申请专利范围第18项所述之方法,其中在移除图案化非黏滞PFTE层之后及在形成平坦化介电层之前,一阻障层系形成覆盖于该结构及该至少一铜内连线上。34.如申请专利范围第18项所述之方法,其中在移除PFTE层之后及在形成平坦化介电层之前,该至少一铜内连线系具有侧壁,且阻障层部份只形成覆盖于该至少一铜内连线侧壁上。35.一种制造至少一铜内连线之方法,系包括有:提供一结构,其系具有至少一暴露传导结构;形成一蚀刻阻绝层于该结构及该至少一暴露的传导结构上;形成一非黏滞PFTE层覆盖于该蚀刻阻绝层上;该非黏滞PFTE层系具有一上表面;图案化该非黏滞PFTE层及该蚀刻阻绝层,以形成一图案化非黏滞PFTE层及一图案化蚀刻阻绝层,其系具有至少一沟槽贯穿于其中,以暴露出至少一部份的至少一传导结构;形成一铜内连线,以接触在至少一沟槽中的至少一传导结构暴露部份,其中该图案化非黏滞PFTE层的非黏滞特性可防止金属的聚集,该金属包括有该图案化非黏滞PFTE层的图案化上表面上的铜内连线;该至少一铜内连线系具有一上表面;移除该图案化非黏滞PFTE层;形成阻障层侧壁部分覆盖于该至少一铜内连线侧壁上;形成一平坦化介电层覆盖于结构上,以暴露出该至少一铜内连线的该上表面;及其中以暴露出该平坦化介电层的该至少一铜内连线的上表面系为非凹陷的。36.如申请专利范围第35项所述之方法,其中该结构为一矽基板;该至少一传导结构系选自于包括有由自铜、铝、钨、金、银、铝合金及铜合金所组成的材料群组;该蚀刻阻绝层系包括有选自于包括有由氮化矽、氧化矽、氮氧化矽及碳化矽所组成的材料组群;及该平坦化介电层系包括有选自于包括有掺杂氧化矽、FSG及SiO2所组成的材料组群。37.如申请专利范围第35项所述之方法,其中该结构为一矽基板;该至少一传导结构系由铜所组成;该蚀刻阻绝层系由氮化矽所组成;且该平坦化介电层系由FSG所组成。38.如申请专利范围第35项所述之方法,其中该蚀刻阻绝层形成达到一个厚度在50埃到5000埃之间;该非黏滞PFTE层系形成达到一个厚度在1000埃到10,000埃之间,且该至少一铜内连线形成达到一个厚度在1000埃到10,000埃。39.如申请专利范围第35项所述之方法,其中该蚀刻阻绝层形成达到一个厚度在200埃到1500埃之间;该非黏滞PFTE层形成达到一个厚度在3000埃到8,000埃,且该至少一铜内连线形成达到一个厚度在2000埃到8,000埃。40.如申请专利范围第35项所述之方法,其中该至少一铜内连线系具有一高度、且该图案化非黏滞PFTE层系具有一高度,其中该铜内连线高度系小于该图案化非黏滞PFTE层高度。41.如申请专利范围第35项所述之方法,其中该非黏滞PFTE层系使用一种电浆辅助蚀刻制程而被图案化。42.如申请专利范围第35项所述之方法,其中该非黏滞PFTE层系使用一种电浆辅助蚀刻制程而被图案化,该电浆辅助蚀刻制程亦移除形成覆盖于至少一传导结构暴露部份上的任何氧化物。43.如申请专利范围第35项所述之方法,其中该非黏滞PFTE层系使用一种电浆辅助蚀刻制程,该电浆辅助蚀刻制程系使用一种或多种选自于包括有由N2.H2.氨、O2.碳氟化合物、氟代碳氢化合物、碳氢化合物、氩气、氦气、BCl3.NF3及氯气所组成的群组。44.如申请专利范围第35项所述之方法,其中该非黏滞PFTE层系使用一种电浆辅助蚀刻制程,该电浆辅助蚀刻制程系使用一种或多种选自于包括有由N2.H2.氨、O2所组成的群组。45.如申请专利范围第35项所述之方法,其中该图案化非黏滞PFTE层系藉由使用于图案化非黏滞材料层的相同制程而被移除。图式简单说明:第1图至第8图系为本发明一较佳实施例之横剖面图。 |
