| 主权项 |
1.一种半穿透半反射式画素结构,适于架构在一基板上,该半穿透半反射式画素结构包括:一扫描配线,配置在该基板上;一闸介电层,配置于该基板上并覆盖住该扫描配线;一资料配线,配置于该闸介电层上且该资料配线的延伸方向与该扫描配线的延伸方向不同;一保护层,配置于部分该闸介电层上并覆盖住该资料配线;一透明画素电极,配置于该保护层上;一反射画素电极,配置在暴露的该闸介电层上;以及一双汲极薄膜电晶体,配置于该基板上并位于该画素结构的中央,其中该双汲极薄膜电晶体具有一闸极、一通道层、一源极以及二汲极,该源极系与该资料配线电性连接,该二汲极系分别与该透明画素电极以及该反射画素电极电性连接,该通道层系配置在该闸极上方之该闸介电层上,该源极与该二汲极系配置在该通道层上,而该闸极系与该扫描配线电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之半穿透半反射式画素结构,其中该透明画素电极之面积与该反射画素电极之面积相同。3.如申请专利范围第1项所述之半穿透半反射式画素结构,其中该透明画素电极之面积与该反射画素电极之面积不相同。4.如申请专利范围第1项所述之半穿透半反射式画素结构,其中更包括一第一画素储存电容器以及一第二画素储存电容器,分别配置在该画素结构之两边缘处。5.如申请专利范围第4项所述之半穿透半反射式画素结构,其中该第一画素储存电容器系由配置在该基板上之一第一共用线、对应配置在该第一共用线上方之一导电层与该透明画素电极以及配置在该第一共用线与该导电层/该透明画素电极之间之该闸介电层所构成,且该导电层系与该透明画素电极电性连接。6.如申请专利范围第4项所述之半穿透半反射式画素结构,其中该第二画素储存电容器系由配置在该基板上之一第二共用线、对应配置在该第二共用线上方之该反射画素电极以及配置在该第二共用线与该反射画素电极之间之该闸介电层所构成。7.如申请专利范围第1项所述之半穿透半反射式画素结构,其中位于该扫瞄配线上方之该透明画素电极中更具有复数个开口,藉以降低该该扫瞄配线与该透明画素电极之一寄生电容。8.如申请专利范围第1项所述之半穿透半反射式画素结构,其中该透明画素电极之材质包括铟锡氧化物。9.如申请专利范围第1项所述之半穿透半反射式画素结构,其中该反射画素电极之材质包括一金属。10.如申请专利范围第1项所述之半穿透半反射式画素结构,其中该通道层与该源极、该二汲极之间更包括配置有一欧姆接触层。11.一种半穿透半反射式画素结构,适于架构在一基板上,该半穿透半反射式画素结构包括:一双汲极薄膜电晶体,配置于该基板上并位于该画素结构的中央,其中该双汲极薄膜电晶体具有一闸极、一通道层、一源极以及二汲极;一扫瞄配线,配置在该基板上,且该扫瞄配线系与该双汲极薄膜电晶体之该闸极电性连接;一资料配线,配置于该基板上,其中该资料配线的延伸方向与该扫描配线的延伸方向不同,且该资料配线系与该双汲极薄膜电晶体之该源极电性连接;一透明画素电极,配置于该基板上,其中该透明画素电极系与该双汲极薄膜电晶体之其中一该二汲极电性连接;以及一反射画素电极,配置在该基板上,其中该反射画素电极系与该双汲极薄膜电晶体之另一该二汲极电性连接。12.如申请专利范围第11项所述之半穿透半反射式画素结构,其中该透明画素电极之面积与该反射画素电极之面积相同。13.如申请专利范围第11项所述之半穿透半反射式画素结构,其中该透明画素电极之面积与该反射画素电极之面积不相同。14.如申请专利范围第11项所述之半穿透半反射式画素结构,其中更包括一第一画素储存电容器以及一第二画素储存电容器,分别配置在该画素结构之两边缘处。15.如申请专利范围第11项所述之半穿透半反射式画素结构,其中位于该扫瞄配线上方之该透明画素电极中更具有复数个开口,藉以降低该扫瞄配线与该透明画素电极之间之一寄生电容。16.如申请专利范围第11项所述之半穿透半反射式画素结构,其中该透明画素电极之材质包括铟锡氧化物。17.如申请专利范围第11项所述之半穿透半反射式画素结构,其中该反射画素电极之材质包括一金属。18.如申请专利范围第11项所述之半穿透半反射式画素结构,其中该通道层与该源极、该二汲极之间更包括配置有一欧姆接触层。图式简单说明:第1图为习知一画素结构之上视示意图;第2图为第1图由I-I'之剖面示意图;第3图是依照本发明一较佳实施例之画素结构之上视示意图;第4图为第3图由II-II'之剖面示意图;以及第5图是依照本发明另一较佳实施例之画素结构之上视示意图。 |
