| 主权项 |
1.一种化学放大之抗蚀材料其包含:I.一种酸敏感性三聚物系由共聚合下列单体单位生产(i)第一单体单位,其结构含有以含脂环族烃之保护基保护之硷可溶基,及该结构中硷可溶基系以酸割裂,因而使三聚物于硷性溶液中具有溶解度,该第一单体单位之脂环族烃系选自下列任一者:(1)金刚烷及其衍生物;(2)原冰片烷基及其衍生物;(3)全氢及其衍生物;(4)全氢及其衍生物;(5)参环[5.2.1.02,6]癸烷及其衍生物;(6)环己烷,甲基环己烷,二甲基环己烷,双环己烷及其衍生物;(7)螺[4,4]壬烷及其衍生物;及(8)螺[4,5]癸烷及其衍生物,(ii)第二单体单位,其具有内酯结构,及(iii)第三单体单位,其结构含有以与第一单体单位不同之保护基保护之硷可溶基,及该结构中硷可溶基系以酸割裂,因而使三聚物于硷性溶液具有溶解度,第二单体单位基于三聚物总量之含量为10至35%莫耳比;及II.一种光酸产生剂,其当曝露于制作图样照射时可产生酸。2.如申请专利范围第1项之化学放大之抗蚀材料,其中含于第二单体单位之内酯结构可以下式(I)或(II)表示:其中R1表氢原子或含1至4个碳原子之取代或无取代烃基,及n为1至4之整数。3.如申请专利范围第1项之化学放大之抗蚀材料其中含于第三单体单位之保护基为第三丁基。4.如申请专利范围第1项之化学放大之抗蚀材料,其中含第一及第三单体单位之硷可溶基为羧酸基,磺酸基,醯胺基,醯亚胺基或酚基。5.如申请专利范围第1项之化学放大之抗蚀材料,其中该酸敏感性三聚物可以下式(III)表示:其中R为相同或相异,及各自表示氢原子,卤原子或含1至4个碳原子之取代或无取代烃基,R1表示含1至4个碳原子之取代或无取代烃基,Z表示完成脂环族基所需原子连同-R1基键结之碳原子,LAC表示下式(I)或(II)表示之内酯结构:其中R1表示氢原子或含1至4个碳原子之取代或无取代烃基,及n为1至4之整数,及k、l及m各自为组成酸敏感性三聚物之单体单位之一员,k:l:m之莫耳比系于45:75:15至40:10:35之范围。6.一种形成抗蚀图样之方法,其包含下列步骤:涂布化学放大之抗蚀材料于待制作基材上,俾于基材上形成抗蚀薄膜,该抗蚀材料包含:I.一种酸敏感性三聚物系由共聚合下列单体单位生产(i)第一单体单位,其结构含有以含脂环族烃之保护基保护之硷可溶基,及该结构中硷可溶基系以酸割裂,因而使三聚物于硷性溶液中具有溶解度,该第一单体单位之脂环族烃系选自下列任一者:(1)金刚烷及其衍生物;(2)原冰片烷基及其衍生物;(3)全氢及其衍生物;(4)全氢及其衍生物;(5)参环[5.2.1.02,6]癸烷及其衍生物;(6)环己烷,甲基环己烷,二甲基环己烷,双环己烷及其衍生物;(7)螺[4,4]壬烷及其衍生物;及(8)螺[4,5]癸烷及其衍生物,(ii)第二单体单位,其具有内酯结构,及(iii)第三单体单位,其结构含有以与第一单体单位不同之保护基保护之硷可溶基,及该结构中硷可溶基系以酸割裂,因而使三聚物于硷性溶液具有溶解度,第二单体单位基于三聚物总量之含量为10至35%莫耳比;及II.一种光酸产生剂,其当曝露于制作图样照射时可产生酸;使抗蚀薄膜选择性曝露于可由光酸产生剂产生酸之制作图样照射;及显像于曝光步骤期间于抗蚀薄膜形成的前显像。7.如申请专利范围第6项之形成抗蚀图样之方法其中该酸敏感性三聚物可以下式(III)表示:其中R为相同或相异,及各自表示氢原子,卤原子或含1至4个碳原子之取代或无取代烃基,R1表示含1至4个碳原子之取代或无取代烃基,Z表示完成脂环族基所需原子连同-R1基键结之碳原子,LAC表示下式(I)或(II)表示之内酯结构:其中R1表示氢原子或含1至4个碳原子之取代或无取代烃基,及n为1至4之整数,及k、l及m各自为组成酸敏感性三聚物之单体单位之一员,k:l:m之莫耳比系于45:75:15至40:10:35之范围。 |
