发明名称 修复记忆体部份资料区域发生故障之结构
摘要 本创作系有关一种修复记忆体部份资料区域发生故障之结构,系利用一测试器将复数个有部份资料区域发生故障之记忆体(如:DDR SDRAM)分别进行检测,再以两个记忆体为一组,将各组记忆体分别安装于一电路板之正、反面,令每一组记忆体之一记忆体与另一记忆体相对应,再依先前之检测结果,将每一组记忆体之正常可使用的资料区域之接脚,其中八个接脚依序连接至该电路板之连接埠插脚上,如此,将该电路板安装于一电脑之电路板上时,该电脑之处理单元(CPU)可将各组记忆体当成一正常记忆体来使用,如此,即可将部份资料区域发生故障之记忆体回收再利用,达成节省制造成本以及保护环境之目的。伍、(一)、本案代表图为:第___2___图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明:记忆体10电路板11
申请公布号 TW579047 申请公布日期 2004.03.01
申请号 TW092200817 申请日期 2003.01.16
申请人 邱明哲 发明人 邱明哲
分类号 G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人 杨永成 台北市中正区重庆南路二段五十九号五楼之四
主权项 1.一种修复记忆体部份资料区域发生故障之结构,系利用一测试器将复数个有部份资料区域发生故障之记忆体分别进行检测,再以两个记忆体为一组,将各组记忆体分别安装于一电路板之正、反面,令每一组记忆体之一记忆体与另一记忆体相对应,再依先前之检测结果,将每一组记忆体之资料区域的接脚,其中八个可正常使用的接脚依序连接至该电路板之连接埠插脚上,俾将该电路板安装于一电脑之电路板上时,该电脑之中央处理单元可将各组记忆体当成一正常记忆体来使用。2.一种修复记忆体部份资料区域发生故障之结构,系利用一测试器将复数个有部份资料区域发生故障之128MBIT之记忆体及256MBIT之记忆体分别进行检测,再以一个128MBIT之记忆体与一个256MBIT之记忆体为一组,将各组记忆体分别安装于一电路板之正、反面,令每一组记忆体之一记忆体与另一记忆体相对应,再将256MBIT之记忆体的地址区域接脚A12固定住,嗣再依先前之检测结果,将每一组记忆体之资料区域的接脚,其中八个可正常使用的接脚依序连接至该电路板之连接埠插脚上,俾将该电路板安装于一电脑之电路板上时,该电脑之中央处理单元可将各组记忆体当成一正常记忆体来使用。3.如申请专利范围第2项所述之修复记忆体部份资料区域发生故障之结构,其中该256MBIT之记忆体的地址区域接脚A12固定住之方式,系将该接脚A12与该记忆体之电源接脚Vcc(VDD)、接地端GND(Vss)、地址区域接脚A11.接脚BA0(BS0)或接脚BA1(BS1)相连接,或者,该记忆体之地址区域接脚A11与电源接脚Vcc(VDD)、接地端GND(Vss)、接脚BA0(BS0)或接脚BA1(BS1)相连接,俾电脑之中央处理单元仅能读取该记忆体之11个地址区域接脚的位址讯号,而辨识出该记忆体为一128MBIT之记忆体,故其可与128MBIT之记忆体相互配合使用,不会发生地址区域不同而不相容之问题。图式简单说明:第一图系记忆体之方块示意图。第二图系本创作之方块示意图。第三图系本创作之动作流程图。第四图系本创作另一最佳实施例之方块示意图。
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