| 主权项 |
1.一种光学微影方法,用以于一晶圆上之光阻层上形成一微小细线图案,且该微小细线图案包含有一垂直细线图案以及一水平细线图案正交连接于该垂直细线图案,该光学微影方法包含有下列步骤:提供一第一相位移光罩布局,其上包含有一第一相位移透光区域、一紧邻该第一相位移透光区域之第二相位移透光区域、一垂直控制铬线图案设于该第一相位移透光区域以及该第二相位移透光区域之交界,以及一水平不透光区正交相接于该垂直控制铬线图案;进行一第一曝光制程,使光线照射该第一相位移光罩布局,该光线穿过该第一相位移透光区域以及该第二相位移透光区域,于该光阻层上形成该垂直细线图案、一水平未曝光区域正交相接于该垂直细线图案,以及一周边未曝光细线图案;提供一第二相位移光罩布局,其上包含有一第三相位移透光区域、一紧邻该第三相位移透光区域之第四相位移透光区域、一水平控制铬线图案设于该第三相位移透光区域以及该第四相位移透光区域之交界,以及一垂直不透光区正交相接于该水平控制铬线图案,用以遮蔽该垂直细线图案;以及进行一第二曝光制程,使光线照射该第二相位移光罩布局,该光线穿过该第三相位移透光区域以及该第四相位移透光区域,于该光阻层上形成该水平细线图案正交相接于该垂直细线图案。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该周边未曝光细线图案系相对应形成于该第一相位移透光区域以及该第二相位移透光区域之交界。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该周边未曝光细线图案在该第二曝光制程中被去除。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该水平细线图案落于该水平未曝光区域内。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二相位移光罩布局之位置系使其摆放于该第一相位移光罩布局与该晶圆相同之相对位置。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一相位移透光区域与该第二相位移透光区域之相差为180度。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第一相位移透光区域为0度相位移区域,该第二相位移透光区域为180度相位移区域。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第三相位移透光区域与该第四相位移透光区域之相差为180度。9.一种半导体元件的制造方法,包含有下列步骤:提供一半导体晶圆,其上覆有一光阻层;提供一第一相位移光罩,设于该半导体晶圆上方一预定位置,该第一相位移光罩至少包含有一第一相位移透光区域、一紧邻该第一相位移透光区域之第二相位移透光区域,以及一第一不透光区;进行一第一曝光制程,使光线照射该第一相位移光罩,该光线穿过该第一相位移透光区域以及该第二相位移透光区域,于该光阻层上形成一第一细线图案、一未曝光区域正交相接于该第一细线图案,以及一周边未曝光细线图案;提供一第二相位移光罩,设于该预定位置,该第二相位移光罩包含有一第三相位移透光区域、一紧邻该第三相位移透光区域之第四相位移透光区域,以及一第二不透光区,用以遮蔽该第一细线图案;以及进行一第二曝光制程,使光线照射该第二相位移光罩,该光线穿过该第三相位移透光区域以及该第四相位移透光区域,于该光阻层上形成第二细线图案正交相接于该第一细线图案。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该半导体晶圆与该第一相位移光罩之间有复数个透镜。11.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该周边未曝光细线图案系相对应形成于该第一相位移透光区域以及该第二相位移透光区域之交界。12.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该周边未曝光细线图案在该第二曝光制程中被去除。13.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该第二细线图案落于该未曝光区域内。14.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该第一相位移透光区域与该第二相位移透光区域之相差为180度。15.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该第三相位移透光区域与该第四相位移透光区域之相差为180度。图式简单说明:图一显示依据NTI所提出之方法,若要于一光阻层上曝出两相近微小元件之图案,所需要的相位移光罩布局以及修整光罩布局。图二显示依据NTI于2002年所提出之另一习知方法,若要于一光阻层上曝出微小元件图案,所需要的相位移光罩布局以及修整光罩布局。图三显示本发明一较佳实施例。 |
