| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,藉由单片方式对直径300mm的半导体晶圆实施由升温过程与保持最终预定温度预定时间的主处理过程与降温过程构成的热处理,其特征为:在该热处理中,令该半导体晶圆的面内温度差为未满90℃。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法,其中该升温过程中的升温速度为每秒10℃以上。3.一种半导体装置的制造方法,藉由单片方式对直径300mm的半导体晶圆实施由升温过程与保持最终预定温度预定时间的主处理过程与降温过程构成的热处理,其特征为:该半导体晶圆的温度是藉由放射温度计测定,在该半导体晶圆的温度未满500℃的该升温过程中,令该半导体晶圆的面内温度差为未满90℃。4.如申请专利范围第3项所述之半导体装置的制造方法,其中在该半导体晶圆的温度未满500℃的该升温过程中开环控制被进行。5.如申请专利范围第4项所述之半导体装置的制造方法,其中在该半导体晶圆的温度为500℃以上的该升温过程以及该主处理过程中闭环控制被进行。6.如申请专利范围第4项所述之半导体装置的制造方法,其中使用与该放射温度计不同的温度计预先求出该半导体晶圆的温度未满500℃的该升温过程中的开环控制的设定条件。7.如申请专利范围第6项所述之半导体装置的制造方法,其中该升温过程中的升温速度为每秒10℃以上。8.如申请专利范围第4项所述之半导体装置的制造方法,其中该半导体晶圆的温度未满500℃的该升温过程中的升温速度比该半导体晶圆的温度为500℃以上的该升温过程中的升温速度还小。9.如申请专利范围第8项所述之半导体装置的制造方法,其中该半导体晶圆的温度未满500℃的该升温过程中的升温速度为未满每秒10℃,该半导体晶圆的温度为500℃以上的该升温过程中的升温速度为每秒10℃以上。10.一种半导体装置的制造方法,藉由单片方式对直径300mm的半导体晶圆实施由升温过程与保持最终预定温度预定时间的主处理过程与降温过程构成的热处理,其特征为:该半导体晶圆的温度未满500℃的该升温过程中的该半导体晶圆的温度是藉由具有第一检测波长的第一放射温度计测定,该半导体晶圆的温度为500℃以上的该升温过程中的该半导体晶圆的温度是藉由具有与该第一检测波长不同的第二检测波长的第二放射温度计测定。11.如申请专利范围第10项所述之半导体装置的制造方法,其中该升温过程中的升温速度为每秒10℃以上。12.如申请专利范围第10项所述之半导体装置的制造方法,其中在该半导体晶圆的温度未满500℃的该升温过程以及该半导体晶圆的温度为500℃以上的该升温过程中闭环控制分别被进行。图式简单说明:图1是显示用以说明本发明的一实施形态的半导体晶圆以及RTP装置所具备的放射温度计的配置的概略图。图2是显示藉由图1所示的五个放射温度计测定的RTP处理中的直径300mm的半导体晶圆的温度分布的一例的图。图3是显示进行开环控制的未满500℃的升温过程中的直径300mm的半导体晶圆的面内温度差的一例的图。图4是依制程顺序显示适用本发明于CMOS装置的制造方法的一例的半导体基板的主要部位剖面图。图5是依制程顺序显示适用本发明于CMOS装置的制造方法的一例的半导体基板的主要部位剖面图。图6是依制程顺序显示适用本发明于CMOS装置的制造方法的一例的半导体基板的主要部位剖面图。图7是依制程顺序显示适用本发明于CMOS装置的制造方法的一例的半导体基板的主要部位剖面图。图8是依制程顺序显示适用本发明于CMOS装置的制造方法的一例的半导体基板的主要部位剖面图。图9是显示用以说明本发明的其他实施形态的半导体晶圆以及RTP装置的剖面概略图。 |
