| 主权项 |
1.一种窄控脉冲式相频侦测器,包含有:两个实质上相等的窄控脉冲式相位栓锁器,每一窄控脉冲式相位栓锁器各有一时脉输入端和一信号输出端;以及一个重置信号产生单元,与该窄控脉冲式相位栓锁器连结,根据该信号输出端的逻辑値,该重置信号产生单元决定是否产生一重置信号,并将该重置信号输出至每一窄控脉冲式相位栓锁器;其中每一窄控脉冲式相位栓锁器更包含:一窄控脉冲产生单元,接收来自该时脉输入端的时脉,并产生一电位脉冲;一路径单元,备有一固定准位信号的输入端,并接收该电位脉冲;一回授开关,接收该电位脉冲;一储存清除单元;以及一回授输出单元;其中该电位脉冲控制该路径单元将该固定准位信号送出,并同时用来关闭该回授开关,以便让该固定准位信号进入该储存清除单元,若该重置信号没有致能,则该固定准位信号进而被传送到该回授输出单元。2.如申请专利范围第1项所述之窄控脉冲式相频侦测器,其中若一脉冲式相位栓锁器的输入时脉领先于另一脉冲式相位栓锁器的输入时脉时,则该领先的脉冲式相位栓锁器的输出信号为逻辑1。3.如申请专利范围第2项所述之窄控脉冲式相频侦测器,其中当该两窄控脉冲式相位栓锁器之输出端的逻辑値皆为1时,该重置信号产生单元决定产生该重置信号,并输出至每一窄控脉冲式相位栓锁器。4.如申请专利范围第1项所述之窄控脉冲式相频侦测器,其中当该固定准位信号为逻辑1时,该路径单元以P型金氧半导体来实现,并且该回授开关以N型金氧半导体来实现。5.如申请专利范围第1项所述之窄控脉冲式相频侦测器,其中当该固定准位信号为逻辑0时,该路径单元以N型金氧半导体来实现,并且该回授开关以P型金氧半导体来实现。6.如申请专利范围第1项所述之窄控脉冲式相频侦测器,其中该脉冲式相位栓锁器包括4个反向器,两个P型金氧半导体,两个N型金氧半导体和一个反及闸。7.如申请专利范围第6项所述之窄控脉冲式相频侦测器,其中该窄控脉冲产生单元是以三个反向器一个连接一个来产生一个延迟信号,该延迟信号是该输入端的时脉的反向延迟信号,当该输入端的时脉与该反向延迟信号同时为低电位时,形成一低电位窄控脉冲,该回授开关是以两个N型金氧半导体N1和N2来实现,该路径开关单元是以两个P型金氧半导体P1和P2来实现,该储存清除单元是以一个反及闸来实现,该回授输出单元是以一个反向器来实现。8.如申请专利范围第7项所述之窄控脉冲式相频侦测器,其中该低电位窄控脉冲系用来打开该路径开关单元,同时关闭该回授开关。9.如申请专利范围第8项所述之窄控脉冲式相频侦测器,其中该低电位窄控脉冲产生一个打开该路径开关单元的重叠时间Tsetup,该P1的源极连接到逻辑1,该P1的闸极则由该反向延迟信号控制,而该P2的闸极则由该输入时脉的信号控制。10.如申请专利范围第1项所述之窄控脉冲式相频侦测器,其中当该固定准位信号为逻辑1时,该脉冲产生单元是以一个反及闸和一个反向器来实现,该回授开关是以一个N型金氧半导体来实现,该路径开关单元是以一个P型金氧半导体来实现,该储存清除单元是以一个反及闸来实现,该回授输出单元是以一个反向器来实现。11.如申请专利范围第1项所述之窄控脉冲式相频侦测器,其中当该固定准位信号为逻辑0时,该脉冲产生单元是以一个及闸和一个反向器来实现,该回授开关是以一个P型金氧半导体来实现,该路径开关单元是以一个N型金氧半导体来实现,该储存清除单元是以一个反及闸来实现,该回授输出单元是以两个反向器来实现。图式简单说明:图1为一种传统的三态相频侦测器。图2a为在图1中使用主仆式D型正反器的相频侦测器。图2b为在图1中使用RS反及闸栓锁的相频侦测器。图2c分别为在图1中使用动态栓锁的相频侦测器。图3为根据本发明之窄控脉冲式相频侦测器的方块示意图。图4为说明图3之运作的时序图。图5为根据本发明之窄控脉冲式相位栓锁器的方块示意图。图6为实现图5之窄控脉冲式相位栓锁器的一种电路。图7说明图6之电路的重叠时间Tsetup。图8为图5之窄控脉冲式相位栓锁器在固定准位为逻辑1时的另一种精简的电路。图9为图5之脉冲式相位栓锁器在固定准位为逻辑0时的精简电路。图10为本发明、动态栓锁、RS反及闸栓锁,和主仆式D型正反器的相频侦测器的最大运作频率的模拟图。图11说明本发明和RS反及闸栓锁之相频侦测器的死带宽度。图12说明本发明和RS反及闸栓锁之相频侦测器的相位特征。 |
