| 主权项 |
1.一种瓶型沟槽的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,该半导体基底上具有一硬罩幕层,且该半导体基底上形成有一沟槽;于该半导体基底及该沟槽之表面上依序顺应性形成一第一衬层、一第二衬层、一导电层及于一第三衬层,该第一衬层与该第二衬层相异;于该沟槽底部填入一既定深度之牺牲层;以该牺牲层为蚀刻罩幕,去除未被该牺牲层覆盖之该第三衬层,并去除该牺牲层;对露出表面之该导电层进行氧化步骤以形成一氧化层;以该氧化层为蚀刻罩幕,依序去除未被该氧化层覆盖之该第三衬层、该导电层、该第二衬层及该第一衬层,以露出位于该沟槽底部之该半导体基底表面;及以该氧化层为罩幕,蚀刻该半导体基底以形成一瓶型沟槽。2.如申请专利范围第1项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该硬罩幕层为氮化矽层或氮化矽/硼矽玻璃组合层。3.如申请专利范围第1项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第一衬层之厚度为25至35。4.如申请专利范围第1项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第一衬层为氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第二衬层之厚度为45至55。6.如申请专利范围第1项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第二衬层为氮化层。7.如申请专利范围第1项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该导电层之厚度为75至85。8.如申请专利范围第1项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该导电层为多晶矽层或磊晶矽层。9.如申请专利范围第1项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第三衬层之厚度为35至45。10.如申请专利范围第1项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第三衬层为氮化层。11.如申请专利范围第1项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该牺牲层为光阻层或旋涂式玻璃层。12.如申请专利范围第1项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该氧化层之厚度为145至155。13.如申请专利范围第1项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该蚀刻方法为以蚀刻液进行湿蚀刻。14.如申请专利范围第13项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该蚀刻液为氢氧化铵。15.一种瓶型沟槽的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,该半导体基底上依序形成有一垫层、一硬罩幕层及一图案化光阻层;以该图案化光阻层为蚀刻罩幕,依序蚀刻该垫层、该硬罩幕层及该半导体基底,以在该半导体基底上形成一沟槽,并去除该图案化光阻层;于该沟槽露出之该半导体基底表面上顺应性形成一第一衬层;于该半导体基底及该第一衬层之表面上依序顺应性形成一第二衬层及一导电层,该第一衬层与该第二衬层相异;于该导电层表面上顺应性形成一第三衬层;于该半导体基底表面上顺应性形成一牺牲层,且该牺牲层填满该沟槽;蚀刻该牺牲层,以在该沟槽底部留下一既定深度之牺牲层;以该牺牲层为蚀刻罩幕,去除未被该牺牲层覆盖之该第三衬层以露出部分该导电层之表面;将该牺牲层去除;对露出表面之该导电层进行氧化步骤以形成一氧化层;以该氧化层为蚀刻罩幕,依序去除未被该氧化层覆盖之该第三衬层、该导电层、该第二衬层及该第一衬层,以露出位于该沟槽底部之该半导体基底表面;及以该氧化层为罩幕,蚀刻该半导体基底以形成一瓶型沟槽。16.如申请专利范围第15项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该硬罩幕层为氮化矽层或氮化矽/硼矽玻璃组合层。17.如申请专利范围第15项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第一衬层之厚度为25至35。18.如申请专利范围第15项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第一衬层为氧化层。19.如申请专利范围第15项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第二衬层之厚度为45至55。20.如申请专利范围第15项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第二衬层为氮化层。21.如申请专利范围第15项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该导电层之厚度为75至85。22.如申请专利范围第15项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该导电层为多晶矽层或磊晶矽层。23.如申请专利范围第15项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第三衬层之厚度为35至45。24.如申请专利范围第15项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第三衬层为氮化层。25.如申请专利范围第15项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该牺牲层为光阻层或旋涂式玻璃层。26.如申请专利范围第15项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该氧化层之厚度为145至155。27.如申请专利范围第15项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该蚀刻方法为以蚀刻液进行湿蚀刻。28.如申请专利范围第27项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该蚀刻液为氢氧化铵。29.一种瓶型沟槽的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,该半导体基底上依序形成有一第一氮化层、一硼矽玻璃层及一图案化光阻层;以该图案化光阻层为蚀刻罩幕,依序蚀刻该第一氮化层、该硼矽玻璃层及该半导体基底,以在该半导体基底上形成一沟槽,并去除该图案化光阻层;于该沟槽露出之该半导体基底表面上顺应性形成一第一氧化层;于该半导体基底及该第一氧化层之表面上依序顺应性形成一第二氮化层、一多晶矽层及一第三氮化层;于该半导体基底表面上顺应性形成一光阻层,且该光阻层填满该沟槽;蚀刻该光阻层,以在该沟槽底部留下一既定深度之光阻层;以该光阻层为蚀刻罩幕,去除未被该光阻层覆盖之该第三氮化层以露出部分该多晶矽层之表面,将该光阻层去除;氧化该多晶层以使该多晶矽层形成一第二氧化层;以该第二氧化层为蚀刻罩幕,依序去除该沟槽底部未被该第二氧化层覆盖之该第三氮化层、该多晶矽层、该第二氮化层及该第一氧化层,以露出位于该沟槽底部之该半导体基底表面;及以该第二氧化层为罩幕,对该半导体基底进行湿蚀刻以形成一瓶型沟槽。30.如申请专利范围第29项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第一氧化层之厚度为25至35。31.如申请专利范围第29项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第二氮化层之厚度为45至55。32.如申请专利范围第29项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该导电层之厚度为75至85。33.如申请专利范围第29项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第三衬层之厚度为35至4534.如申请专利范围第29项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该第三衬层为氮化层。35.如申请专利范围第29项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该氧化层之厚度为145至155。36.如申请专利范围第29项所述之瓶型沟槽的制造方法,其中该蚀刻液为氢氧化铵。图式简单说明:第1a-1j图系显示习知之制造瓶型沟槽之示意图。第2a-2i图系显示本发明之制造瓶型沟槽之示意图。 |
