| 主权项 |
1.一种金属化合物的蚀刻方法,此金属化合物系形 成于一半导体基板上,该方法包括: 使用一蚀刻配方,对于一金属化合物进行蚀刻,其 中该蚀刻配方为液相或气相,该蚀刻配方包括大于 50 wt%之溶剂,以及0.0001 wt%至10 wt%之含卤素之酸。2. 如申请专利范围第1项所述之金属化合物的蚀刻方 法,其中该溶剂为水,HClO4,醇类,四氢喃(THF),硫酸, 或二甲亚(DMSO)。3.如申请专利范围第1项所述之 金属化合物的蚀刻方法,其中该含卤素之酸为HF,HBr ,HI,或HClO4。4.如申请专利范围第1项所述之金属化 合物的蚀刻方法,其中该蚀刻配方更包括0.0001 wt% 至10 wt%之螯合剂。5.如申请专利范围第4项所述之 金属化合物的蚀刻方法,其中该螯合剂为二胺类( diamine)或beta-二酮类(beta-diketone)。6.如申请专利范 围第5项所述之金属化合物的蚀刻方法,其中该螯 合剂为EDTA(乙二胺四乙酸)。7.如申请专利范围第1 项所述之金属化合物的蚀刻方法,其中该蚀刻配方 更包括0.0001 wt%至10 wt%之界面活性剂。8.如申请专 利范围第7项所述之金属化合物的蚀刻方法,其中 该界面活性剂为多元醇。9.如申请专利范围第8项 所述之金属化合物的蚀刻方法,其中该界面活性剂 为乙二醇(glycol)。10.如申请专利范围第1项所述之 金属化合物的蚀刻方法,其中该金属化合物之介电 常数为5至200之间。11.如申请专利范围第10项所述 之金属化合物的蚀刻方法,其中该金属化合物之介 电常数为10至30之间。12.如申请专利范围第10项所 述之金属化合物的蚀刻方法,其中该金属化合物为 金属之氧化物。13.如申请专利范围第10项所述之 金属化合物的蚀刻方法,其中该金属化合物为金属 之矽酸盐(silicate)。14.如申请专利范围第10项所述 之金属化合物的蚀刻方法,其中该金属化合物为金 属之氮化物(nitride)。15.如申请专利范围第10项所 述之金属化合物的蚀刻方法,其中该金属化合物为 金属之氮氧化物(oxynitride)。16.如申请专利范围第 10项所述之金属化合物的蚀刻方法,其中该金属化 合物为铝(aluminum)、钽(tantalum)、钛(titanium)、铪( hafnium)、或锆(zirconium)之化合物。17.如申请专利范 围第16项所述之金属化合物的蚀刻方法,其中该金 属化合物为铪或锆之化合物。18.如申请专利范围 第1项所述之金属化合物的蚀刻方法,其中该蚀刻 方法系在温度10℃至120℃下进行。19.如申请专利 范围第18项所述之金属化合物的蚀刻方法,其中该 蚀刻方法系在温度20℃至70℃下进行。20.如申请专 利范围第19项所述之金属化合物的蚀刻方法,其中 该蚀刻方法系在温度20℃至50℃下进行。21.如申请 专利范围第1项所述之金属化合物的蚀刻方法,其 中该蚀刻配方对于该金属化合物/Si之选择比≧2: 122.如申请专利范围第21项所述之金属化合物的蚀 刻方法,其中该蚀刻配方对于该金属化合物/SiO2之 选择比≧2:1。23.一种制造电晶体之闸极的方法,包 括以下步骤: 在一半导体基板上依序形成一金属化合物层和一 导电层; 选择性蚀刻该导电层而形成一闸极层;以及 以该闸极层为罩幕,使用一蚀刻配方蚀刻该金属化 合物层,而形成一闸极介电层,其中该蚀刻配方为 液相或气相,该蚀刻配方包括大于50 wt%之溶剂,以 及0.0001 wt%至10 wt%之含卤素之酸。24.如申请专利范 围第23项所述之制造电晶体之闸极的方法,其中该 半导体基板为矽基板。25.如申请专利范围第23项 所述之制造电晶体之闸极的方法,其中该半导体基 板内有一隔离区。26.如申请专利范围第25项所述 之制造电晶体之闸极的方法,其中该隔离区为氧化 矽隔离区。图式简单说明: 第1至第3图显示依据本发明一较佳实施例蚀刻金 属化合物以制造电晶体之闸极的制程剖面图。 |
