发明名称 由一带状晶片组分离出单独之叠层晶片组之切割装置,该分离方法,及制作该切割装置之方法
摘要 一种磨轮系用于藉由切断铜的桥接元素而由一带状体分离出单独的叠层晶片。该磨轮系由结合在一基质中的研磨粒子以及一刃口所制成,该基质具有高玻璃转移温度,而该刃口具有约为350微米的最大厚度,藉此使该切口实质上为平整的并且没有污迹及毛边。
申请公布号 TW578230 申请公布日期 2004.03.01
申请号 TW092102226 申请日期 2003.01.30
申请人 圣高拜磨料有限公司 发明人 马科J M 泰卡德;罗伯特J 费许;罗伯特F 寇科蓝二世
分类号 H01L21/304;B24B1/00 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种磨轮,其用以将四方扁平,无引线之积体电路 封装彼此分离,其系藉由将一连接该等积体电路封 装之桥接元件加以切断而分离之,每一个封装包括 一位在一保护主体中的印刷电路板,磨轮包括一由 研磨物料制成的盘状物,该研磨物料包含结合在一 包括固化亚醯胺树脂及金属粒子之基质中的研磨 粒子,该盘状物形成具有最大厚度约为350微米之刃 口,藉此使该切口实质上为平整的并且实质上没有 污迹和毛边。2.根据申请专利范围第1项的磨轮,其 中该盘状物具有300微米12.7微米的厚度。3.根据申 请专利范围第2项的磨轮,其中该树脂系由4,4'-氧化 二苯胺和3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐反应而形成 。4.根据申请专利范围第1项的磨轮,其中该金属粒 子一起熔接在基质中。5.根据申请专利范围第4项 的磨轮,其中该金属粒子系选自铜,锡,镍,钴,铁,锌, 铟,锑,铬之其中一者或多者。6.根据申请专利范围 第1项的磨轮,其中该研磨粒子为天然或合成金刚 石或CBN。7.根据申请专利范围第1项的磨轮,其中该 轮包括一具有中心孔穴以安装在一旋转轴的盘状 物。8.一种切割装置,其用以将四方扁平,无引线之 积体电路封装彼此分离,其系藉由将一连接该等积 体电路封装之桥接元件加以切断而分离之,该装置 包含多个磨轮,每一个磨轮包括一由研磨物料制成 的盘状物,该研磨物料包含结合在一包括固化亚醯 胺树脂及金属粒子之基质中的研磨粒子,该盘状物 形成一具有最大厚度约为350微米之刃口,该等磨轮 平行地架在一共同轴上,其中当轴旋转时,可以产 生和桥接元件上平行的切口,藉此使该切口实质上 为平整的并且实质上没有污迹和毛边。9.一种藉 由切断一个连接相邻封装的金属桥接元件而将四 方扁平无引线之积体电路封装彼此分离的方法,每 一个封装包括在一保护主体中的一印刷电路板,该 方法包括将一磨轮转动以切断一桥接元件,该轮具 有最大厚度约为350微米之刃口并且由结合在基质 中的研磨粒子所形成,该基质包括固化聚醯亚胺树 脂及金属粒子,藉此使该切口实质上为平整的并且 很少或没有污迹或毛边形成在切口表面。10.根据 申请专利范围第9项的方法,其中该树脂系由4,4'-氧 化二苯胺和3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐反应而形 成。11.根据申请专利范围第9项的方法,其中该金 属粒子一起熔接在基质中。12.根据申请专利范围 第11项的方法,其中该金属粒子系选自铜,锡,镍,钴, 铁,锌,铬,锑,铟,铝,及钛所组成之群。13.根据申请 专利范围第9项的方法,其中该轮以约11,000到约17, 300 rpm表面英尺/分钟而旋转。14.根据申请专利范 围第13项的方法,其中该轮是以15,708 rpm表面英尺/ 分钟而旋转。15.根据申请专利范围第9项的方法, 其中该桥接元素为一200到400微米厚的铜层。16.根 据申请专利范围第9项的方法,其中在该相邻封装 间的距离为350微米。17.一种藉由切断一个将一封 装连接到另一封装的金属桥接元件而将四方扁平 无引线之积体电路封装彼此分离的方法,每一个封 装包含一位在一保护主体中的印刷电路板,该方法 包括旋转一具有刃口的磨轮以切断一桥接元件,该 刃口有一约为350微米之最大厚度并由内含在一硬 化树脂的基质中之研磨粒子所形成,藉此使该切口 为实质上平整的并且切口表面实质上是没有污迹 及毛边。18.根据申请专利范围第17项的方法,其中 该刃口具有300微米12.7微米的厚度。19.根据申请 专利范围第17项的方法,其中该树脂系由4,4'-氧化 二苯胺和3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐反应而形成 。20.根据申请专利范围第17项的方法,其中该金属 粒子系选自由铜,锡,镍,钴,铁,锌,铬,铟,及锑所组 成之群。21.根据申请专利范围第17项的方法,其中 该轮以约14,137表面英尺/分钟旋转及入料速率为从 约18到约30 mm/s。22.根据申请专利范围第21项的方 法,其中该轮以15,708表面英尺/分钟旋转。23.根据 申请专利范围第17项的方法,其中该桥接元素由铜 制成。24.根据申请专利范围第23项的方法,其中该 桥接元素具有从200到400微米的厚度。25.根据申请 专利范围第17项的方法,其中在相邻封装间的距离 为350微米。26.一种制造磨轮之方法,其中该磨轮具 有适合切断一个连接二积体电路封装的桥接元件 并且留下一实质上平整及实质上没有污迹和毛边 的切口,该方法包括将一包含有研磨粒子,金属粒 子及一聚醯亚胺树脂的复合物在一模具中进行温 度及压力处理,以形成一具有高玻璃转移温度之基 质,该基质包含一起熔接在基质中之研磨粒子及金 属粒子,且其中该模具之形状设计成可以形成一具 有最大厚度约为350微米的刃口之环形物。27.根据 申请专利范围第26项的方法,其中该树脂系由4,4'- 氧化二苯胺和3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐反应而 形成。28.根据申请专利范围第26项的方法,其中该 金属粒子系选自铜,锡,镍,钴,铁,锌,铬,锑,铟,铝,及 钛所组成之群。29.根据申请专利范围第26项的磨 轮,其中该研磨粒子为天然或合成金刚石或CBN。图 式简单说明: 图1为一排欲切断的QNF封装之侧视图,其表示了本 发明的一切割工具,部份以切面显示。 图2为一本发明的切割仪器的纵切面。 图3为一标绘半径刀片累积损耗对切断数之图。 图4A、4B及4C为标绘相对电力对切割时间之图。
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