多频段放大器电子电路及其设计方法

摘要

本发明是有关于一种多频段电子电路(Multi-band electronic circuit)及其设计方法。主要乃利用电晶体偏压电流或 偏压电压之改变，造成电容改变，而达成频段切换之 功能。由于使用电流或电压来切换频段，本发明相对 于知之技术，不需使用晶片外之电感及电容，且不 用额外打线，有助于良率及产量之提升。伍、(一)、 本案代表图为：第 四 图 (二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：400 输入 端 401 电流源 402 电容403 电流源 404 电感 405 集极电流 406 电压源 407 电阻 408 电晶体409 电容 410 电阻 411 电源 412 R2 413 电晶体 414 输出端

主权项

1.一种多频段放大器电子电路的设计方法,其乃藉 由该电路中至少一电晶体偏压之改变,使该电晶体 之输入阻抗与电性连接于该电晶体输入端之至少 一电感,从某一共振频段切换至另一频段,而达成 多频段之切换。2.如申请专利范围第1项之多频段 放大器电子电路的设计方法,其中该电晶体为双极 电晶体。3.如申请专利范围第1项之多频段放大器 电子电路的设计方法,其中该电晶体为场效电晶体 。4.如申请专利范围第2项之多频段放大器电子电 路的设计方法,其中电晶体偏压为电流。5.如申请 专利范围第2项之多频段放大器电子电路的设计方 法,其中电晶体偏压为电压。6.如申请专利范围第4 项之多频段放大器电子电路的设计方法,其中该电 晶体之输入端为基极端。7.如申请专利范围第6项 之多频段放大器电子电路的设计方法,其中电晶体 偏压为基极电流。8.如申请专利范围第6项之多频 段放大器电子电路的设计方法,其中电晶体偏压为 集极电流。9.如申请专利范围第7项之多频段放大 器电子电路的设计方法,其中电晶体偏压为射极电 流。10.如申请专利范围第5项之多频段放大器电子 电路的设计方法,其中该电晶体之输入端为基极端 。11.如申请专利范围第10项之多频段放大器电子 电路的设计方法,其中电晶体偏压为基极电压。12. 如申请专利范围第3项之多频段放大器电子电路的 设计方法,其中电晶体偏压为电流。13.如申请专利 范围第3项之多频段放大器电子电路的设计方法, 其中电晶体偏压为电压。14.如申请专利范围第12 项之多频段放大器电子电路的设计方法,其中该电 晶体之输入端为闸极端。15.如申请专利范围第14 项之多频段放大器电子电路的设计方法,其中电晶 体偏压为汲-源极电流。16.如申请专利范围第13项 之多频段放大器电子电路的设计方法,其中电晶体 偏压为闸极电压。17.一种多频段放大器电子电路, 由第一双极电晶体、第二双极电晶体、第一电阻 、第二电阻、第三电阻、一电感与一电容所组成; 第一双极电晶体与第二双极电晶体之射极均接地; 该电感与该第一双极电晶体之基极端相连接;该第 一电阻之一端与该第一双极电晶体之集极端相连 接;该第一电阻之另一端与电源相连接;该第一双 极电晶体之集极端亦与该电容之一端相连接;该电 容之另一端与该第二双极电晶体之基极相连接;该 第二电阻之一端与该第二双极电晶体之集极端相 连接;该第二电阻之另一端与电源相连接;该第三 电阻之一端该第二双极电晶体之基极相连接;该第 三电阻之另一端该第二双极电晶体之集极相连接; 藉由该第一双极电晶体偏压之改变,使该第一双极 电晶体输入阻抗与该电感,从某一共振频段切换至 另一共振频段,而达成多频段之切换。18.如申请专 利范围第17项之多频段放大器电子电路,其中该第 一双极电晶体偏压之改变为电流偏压之改变。19. 如申请专利范围第17项之多频段放大器电子电路, 其中该第一双极电晶体偏压之改变为电压偏压之 改变。20.如申请专利范围第17项之多频段放大器 电子电路,其中电流偏压之改变为基极电流偏压之 改变。21.如申请专利范围第17项之多频段放大器 电子电路,其中电流偏压之改变为集极电流偏压之 改变。22.如申请专利范围第17项之多频段放大器 电子电路,其中电流偏压之改变为射极电流偏压之 改变。23.如申请专利范围第19项之多频段放大器 电子电路,其中电压偏压之改变为基极电压偏压之 改变。24.如申请专利范围第20项、或第21项、或第 22项或第23项之多频段放大器电子电路,其中第一 电阻与第二电阻均为300欧姆;第三电阻为600欧姆; 电容为3pF;该第一与第二电晶体射极面积均为12.18 平方微米。25.一种多频段放大器电子电路,由第一 场效电晶体、第二场效电晶体、第一电阻、第二 电阻、第三电阻、一电感与一电容所组成;第一场 效电晶体与第二场效电晶体之源极均接地;该电感 与该第一场效电晶体之闸极端相连接;该第一电阻 之一端与该第一场效电晶体之汲极端相连接;该第 一电阻之另一端与电源相连接;该第一场效电晶体 之汲极端亦与该电容之一端相连接;该电容之另一 端与该第二场效电晶体之基极相连接;该第二电阻 之一端与该第二场效电晶体之汲极端相连接;该第 二电阻之另一端与电源相连接;该第三电阻之一端 该第二场效电晶体之闸极相连接;该第三电阻之另 一端该第二场效电晶体之集极相连接;藉由该第一 场效体偏压之改变,使该第一场效电晶体输入阻抗 与该电感,从某一共振频段切换至另一共振频段, 而达成多频段之切换。26.如申请专利范围第25项 之多频段放大器电子电路,其中该第一场效电晶体 偏压之改变为电流偏压之改变。27.如申请专利范 围第25项之多频段放大器电子电路,其中该第一场 效电晶体偏压之改变为电压偏压之改变。28.如申 请专利范围第26项之多频段放大器电子电路,其中 电流偏压之改变为汲-源极电流偏压之改变。29.如 申请专利范围第27项之多频段放大器电子电路,其 中电压偏压之改变为闸极电压偏压之改变。图式 简单说明: 第一图为习知为了多频段应用所采之多频段晶片 整合方法。 第二图为习知低杂讯放大器之电路图。 第三图为H. Hashemi氏和A. Hajimiri氏所发表之多频段 低杂讯放大器的电路图。 第四图为本创作实施例(2.4/5.2/5.7 GHz多频段低杂讯 放大器)的电路图。 第五图为本创作实施例(2.4/5.2/5.7 GHz多频段低杂讯 放大器)的晶片照片图。 第六图A为本创作实施例(2.4/5.2/5.7 GHz多频段低杂 讯放大器)在操作条件一下的增益表现。 第六图B为本创作实施例(2.4/5.2/5.7 GHz多频段低杂 讯放大器)在操作条件二下的增益表现。 第七图A为本创作实施例(2.4/5.2/5.7 GHz多频段低杂 讯放大器)在操作条件一下输入折返损耗对频率的 特性程度表现。 第七图B为本创作实施例(2.4/5.2/5.7 GHz多频段低杂 讯放大器)在操作条件二下输出折返损耗对频率的 特性。 第八图为本创作实施例(2.4/5.2/5.7 GHz多频段低杂讯 放大器)在操作条件一下及条件二下杂讯指数对频 率的特性。