| 主权项 |
1.一种茀共聚物,其包含多数个单体单元且进一步 之特征在于具有下列组份: (a)10至99%之该单体单元为选自于经9-取代之茀部份 、经9,9-二取代之茀部份或此等之组合的茀部份, 其中该茀部份系选自于具有下式之基团: 在各个情况下,R1及R2系个别地为氢、C1-20烃基、C1- 20烃氧基、C1-20硫烃氧基,或氰基 在各个情况下,R3及R4系个别地为氢、C1-20烃基,该 烃基任择地被C1-20烷氧基/芳氧基、硫烷氧基/硫芳 氧基、二级/三级胺、羟基、羧基/磺酸、氰基及 酯所取代;C6-20芳基,其任择地被C1-20烷氧基/芳氧基 、硫烷氧基/硫芳氧基、二级/三级胺、羟基、羧 基/磺酸、氰基及酯所取代;或R3及R4亦可与其附接 之烯烃碳共同形成C3-12环状结构,该环状结构任择 地另外含有一或多个诸如磷、硫、氧及氮之杂原 子; 在各个情况下,R5及R6系个别地为氢、C1-20烷基,其 任择地被C1-20烷氧基/芳氧基、硫烷氧基/硫芳氧基 、二级/三级胺、羟基、羧基/磺酸、氰基及酯所 取代;C6-20芳基,其任择地被C1-20烷氧基/芳氧基、硫 烷氧基/硫芳氧基、二级/三级胺、羟基、羧基/磺 酸、氰基及酯所取代;或R5及R6亦可与茀之C9-碳形 成C3-12环状结构,该环状结构任择地另含有一或多 个诸如磷、硫、氧及氮之杂原子 ;以及 (b)1至90%之该单体单元,其含有二个彼此不同但皆 包含非定域化之-电子的其它部份;该等其它部 份系个别地选自于由具有电洞传输性质之部份及 具有电子传导性质之部份所构成的群组中;其中若 该二个其它部份二者皆具有电洞传输性质,则该等 部份中之至少一者系衍生自于无吸电子取代基之 二苯乙烯或1,4-二烯、N,N,N',N'-四芳基联苯胺、N-取 代之唑、二芳基矽烷以及吸电子取代基之吩/ 喃/咯。2.如申请专利范围第1项之茀共聚物, 其中15至95%之该单体单元为茀部份,且10至85%之该 单体单元为具有电洞传输性质之二个部份。3.如 申请专利范围第1项之茀共聚物,其中15至95%之该单 体单元为茀部份,且10至85%之该单体单元为具有电 子传导性质之二个部份。4.如申请专利范围第1项 之茀共聚物,其中具有电子传导性质之该等部份系 选自于含有吸电子基团之部份。5.如申请专利范 围第1项之茀共聚物,其中1至85%之该单体单元包含 电洞传输部份,以及1至85%之该单体单元包含电子 传导部份。6.如申请专利范围第5项之茀共聚物,其 中15至95%之该单体单元为茀部份,5至85%之该单体单 元具有电洞传输性质,且5至85%之该单体单元具有 电子传导性质。7.一种茀共聚物,其包含有多数个 单体单元且其进一步之特征在于: (a)10至98%之该单体单元系选自于经9-取代之茀部份 、经9,9-二取代之茀部份或此等之组合的茀部份, 其中该茀部份系选自于具有下式之基团: 在各个情况下,R1及R2系个别地为氢、C1-20烃基、C1- 20烃氧基、C1-20硫烃氧基,或氰基 在各个情况下,R3及R4系个别地为氢、C1-20烃基,该 烃基任择地被C1-20烷氧基/芳氧基、硫烷氧基/硫芳 氧基、二级/三级胺、羟基、羧基/磺酸、氰基及 酯所取代;C6-20芳基,其任择地被C1-20烷氧基/芳氧基 、硫烷氧基/硫芳氧基、二级/三级胺、羟基、羧 基/磺酸、氰基及酯所取代;或R3及R4亦可与其附接 之烯烃碳共同形成C3-12环状结构,该环状结构任择 地另外含有一或多个诸如磷、硫、氧及氮之杂原 子; 在各个情况下,R5及R6系个别地为氢、C1-20烷基,其 任择地被C1-20烷氧基/芳氧基、硫烷氧基/硫芳氧基 、二级/三级胺、羟基、羧基/磺酸、氰基及酯所 取代;C6-20芳基,其任择地被C1-20烷氧基/芳氧基、硫 烷氧基/硫芳氧基、二级/三级胺、羟基、羧基/磺 酸、氰基及酯所取代;或R5及R6亦可与茀之C9-碳形 成C3-12环状结构,该环状结构任择地另含有一或多 个诸如磷、硫、氧及氮之杂原子;及 (b)在各个情况下,1至89%之该单体单元系个别地为 选自于由具有电洞传输性质之部份与具有电子传 导性质之部份所构成的群组中;以及 (c)1至89%之该单体单元系衍生自经取代或未经取代 之亚苯基、亚基及亚联苯基,其中若使用一经取 代之化合物,该取代基系选自于具有1-12个碳原子 之烷基或烷氧基,以及具有6-10个碳原子之芳基或 芳氧基。8.一种聚合物组成物,其包含有0.1至99.9重 量百分比之第一聚合物与0.1至99.9重量百分比之第 二聚合物所构成之掺合物,该第一聚合物系选自于 如申请专利范围第1项之共聚物以及如申请专利范 围第7项之共聚物。9.如申请专利范围第8项之聚合 物组成物,其中该第二聚合物包含有多数个选自于 经9-取代之茀部份、经9,9-二取代之茀部份或此等 之组合的单体单元。10.如申请专利范围第8项之聚 合物组成物,其中该第二聚合物为一如申请专利范 围第1项中所界定且不同于该第一聚合物之共聚物 。11.一种薄膜,其包含有0.1至100重量%之聚合物,该 聚合物系选自于申请专利范围第1项之共聚物及申 请专利范围第7项之共聚物。12.如申请专利范围第 11项之薄膜,其系用于包含一阳极与一阴极之一发 光二极体,该薄膜系位于该阳极及该阴极间。13.如 申请专利范围第12项之薄膜,其系用于包含一阳极 与一阴极之发光二极体,其中该发光二极体之阳极 包含有一由锡及铟所构成之混合氧化物,且该发光 二极体之阴极包含有一金属膜。14.如申请专利范 围第11项之薄膜,其系用于一种包含二电极之光电 池,其中该薄膜系位于二电极之间且该二电极中之 一者系为透明或半透明。15.如申请专利范围第11 项之薄膜,其中该至少一薄膜系位于透明或半透明 之第一电极及第二电极之间。16.如申请专利范围 第11项之薄膜,其系用于一种金属-绝缘体-半导体 之场效应电晶体,其中该场效应电晶体包含有一该 薄膜系被设置于其上之基材,一绝缘层,一源极,其 被连接至该至少一薄膜之第一部份;一汲极,其被 连接至该至少一薄膜之第二部份;以及一闸极,其 位在相对于该至少一薄膜之该绝缘层的另一侧。 17.如申请专利范围第1项之茀共聚物,其系用于一 种聚合物组成物,该共聚物包含有下列单体单元: (a)10至98%之下述单体单元: (b)1至89%之下述单体单元:18.如申请专利范围第17项 之茀共聚物,其系用来作为一种发光二极体中之薄 膜,该发光二极体包含一阳极与一阴极,该薄膜系 界于该阳极及该阴极之间。19.如申请专利范围第1 项之茀共聚物,其系用于一种聚合物组成物,该共 聚物具有下列单体单元: (a)10至98%之下述单体单元: (b)各1至89%之下述单体单元:20.如申请专利范围第19 项之茀共聚物,其系用来作为一种发光二极体中之 薄膜,该发光二极体包含一阳极与一阴极,该薄膜 系界于该阳极及该阴极之间。 |
