| 主权项 |
1.一种加强散热型多晶片封装构造,其包含: 一第一晶片; 一第二晶片; 一基板,具有一上表面,该上表面具有一第一晶片 设置区、一第二晶片设置区及一散热元件设置区, 该第一晶片系以覆晶接合的方式设于该基板之第 一晶片设置区,该第二晶片系以覆晶接合的方式设 于该基板之第二晶片设置区;以及 一散热元件,设于该基板之散热元件设置区并覆盖 该第一晶片及该第二晶片。2.如申请专利范围第1 项所述之加强散热型多晶片封装构造,其中该散热 元件系由一第一晶片接合部、一第二晶片接合部 、一基板接合部及一连接部组成,该连接部系用以 连接该第一晶片接合部、该第二晶片接合部及该 基板接合部,该第一晶片接合部系与该第一晶片相 连接,该第二晶片接合部系与该第二晶片相连接, 该基板接合部系与该基板之散热元件设置区相连 接。3.如申请专利范围第1项所述之加强散热型多 晶片封装构造,其中该散热元件系藉导热胶与该基 板之散热元件设置区相连接。4.如申请专利范围 第3项所述之加强散热型多晶片封装构造,其中该 基板更包含至少一电路层且该散热元件设置区更 具有至少一孔洞,该孔洞系填充导热胶且与基板之 电路层相连接。5.如申请专利范围第2项所述之加 强散热型多晶片封装构造,其中该基板更包含至少 一接地电路层且该散热元件设置区更具有至少一 孔洞,该孔洞之孔壁系形成有一导电层,该导电层 系用以电性连接基板之接地电路层与该散热元件 。6.如申请专利范围第5项所述之加强散热型多晶 片封装构造,其中该导电层系为一铜金属层。7.如 申请专利范围第1项所述之加强散热型多晶片封装 构造,其中该第一晶片与该第二晶片系藉一凸块分 别与该基板之第一晶片设置区及第二晶片设置区 连接以使其与该基板电性连接。8.如申请专利范 围第7项所述之加强散热型多晶片封装构造,其中 该第一晶片与该第一晶片设置区之间系填充一底 胶。9.如申请专利范围第7项所述之加强散热型多 晶片封装构造,其中该第二晶片与该第二晶片设置 区之间系填充一底胶。10.如申请专利范围第1项所 述之加强散热型多晶片封装构造,其中该散热元件 系由铜所组成。11.如申请专利范围第1项所述之加 强散热型多晶片封装构造,其中该基板更具有一下 表面,该下表面更形成有复数个焊球。12.一种加强 散热型多晶片封装构造,其包含: 一第一晶片; 一第二晶片; 一基板,具有一上表面,该上表面具有一第一晶片 设置区、一第二晶片设置区及一散热元件设置区, 该第一晶片系以打线接合的方式设于该基板之第 一晶片设置区,该第二晶片系以打线接合的方式设 于该基板之第二晶片设置区;以及 一散热元件,设于该基板之上散热元件设置区并覆 盖该第一晶片及该第二晶片。13.如申请专利范围 第12项所述之加强散热型多晶片封装构造,其中该 第一晶片与该第二晶片系分别具有第一主动面与 第二主动面,该第一主动面系具有复数个第一焊垫 ,该第二主动面系具有复数个第二焊垫,该第一焊 垫与该第二焊垫系藉一导电线分别与该基板之第 一晶片设置区及第二晶片设置区连接以与该基板 电性导接。14.如申请专利范围第13项所述之加强 散热型多晶片封装构造,其中该散热元件系由一第 一晶片接合部、一第二晶片接合部、一基板接合 部及一连接部组成,该连接部系用以连接该第一晶 片接合部、该第二晶片接合部及该基板接合部,该 第一晶片接合部系具有复数个第一开口以暴露出 该等第一焊垫且与该第一晶片相连接,该第二晶片 接合部系具有复数个第二开口以暴露出该等第二 焊垫且与该第二晶片相连接,该基板接合部系与该 基板之散热元件设置区相连接,该等导电线系经由 该等第一开口及该等第二开口穿设之以连接第一 焊垫与第一晶片设置区及第二焊垫与第二晶片设 置区。15.如申请专利范围第14项所述之加强散热 型多晶片封装构造,更包含一封胶体,该封胶体系 覆盖该第一晶片、该第二晶片、该基板、该等导 电线及该散热元件之第一晶片接合部与第二晶片 接合部。16.如申请专利范围第15项所述之加强散 热型多晶片封装构造,其中该散热元件之基板接合 部系暴露出该封装胶体。17.如申请专利范围第16 项所述之加强散热型多晶片封装构造,其中该散热 元件之连接部系暴露出该封装胶体。18.如申请专 利范围第14项所述之加强散热型多晶片封装构造, 其中该散热元件之第一晶片接合部更具有一第一 凸出部以暴露出该封胶体。19.如申请专利范围第 14项所述之加强散热型多晶片封装构造,其中该散 热元件之第二晶片接合部更具有一第二凸出部以 暴露出该封胶体。20.如申请专利范围第12项所述 之加强散热型多晶片封装构造,其中该散热元件系 由铜所组成。21.如申请专利范围第12项所述之加 强散热型多晶片封装构造,其中该基板更具有一下 表面,该下表面更形成有复数个焊球。22.如申请专 利范围第12项所述之加强散热型多晶片封装构造, 其中该散热元件系藉导热胶与该基板之散热元件 设置区相连接。23.如申请专利范围第22项所述之 加强散热型多晶片封装构造,其中该基板之散热元 件设置区具有复数个孔洞,该孔洞系填充导热胶。 24.如申请专利范围第13项所述之加强散热型多晶 片封装构造,其中该基板更包含至少一接地电路层 且该散热元件设置区更具有至少一孔洞,该孔洞之 孔壁系形成有一导电层,该导电层系用以电性连接 基板之接地电路层与该散热元件。25.如申请专利 范围第24项所述之加强散热型多晶片封装构造,其 中该导电层系为一铜金属层。26.如申请专利范围 第13项所述之加强散热型多晶片封装构造,其中该 散热元件系由一第一晶片接合部、一第二晶片接 合部、一基板接合部及一连接部组成,该连接部系 用以连接该第一晶片接合部、该第二晶片接合部 及该基板接合部,该第一晶片接合部及该第二晶片 接合部系分别藉由一虚晶片(dummy die)与第一晶片 及第二晶片相连接,该基板接合部系与该基板之散 热元件设置区相连接。27.如申请专利范围第13项 所述之加强散热型多晶片封装构造,其中该散热元 件系由一第一晶片接合部、一第二晶片接合部、 一基板接合部及一连接部组成,该连接部系用以连 接该第一晶片接合部、该第二晶片接合部及该基 板接合部,该第一晶片接合部及该第二晶片接合部 系分别藉由复数个导热凸块与第一晶片及第二晶 片相连接,该基板接合部系与该基板之散热元件设 置区相连接。28.如申请专利范围第26项所述之加 强散热型多晶片封装构造,该虚晶片系藉由导热胶 与与第一晶片相连接。29.如申请专利范围第26项 所述之加强散热型多晶片封装构造,该虚晶片系藉 由导热胶与与第二晶片相连接。30.如申请专利范 围第26项所述之加强散热型多晶片封装构造,该虚 晶片系藉由导热胶与与散热元件之第一晶片接合 部相连接。31.如申请专利范围第26项所述之加强 散热型多晶片封装构造,该虚晶片系藉由导热胶与 与散热元件之第二晶片接合部相连接。图式简单 说明: 图1A为一示意图,显示本发明第一较佳实施例之加 强散热型多晶片封装构造。 图1B为第一较佳实施例中基板构造之平面示意图 。 图2为一示意图,显示本发明第二较佳实施例之加 强散热型多晶片封装构造。 图3为一示意图,显示本发明第三较佳实施例之加 强散热型多晶片封装构造。 图4为一散热片剖面示意图,显示本发明第四较佳 实施例中之散热片构造。 图5为一散热片剖面示意图,显示本发明第五较佳 实施例中之散热片构造。 |
