| 主权项 |
1.一种封装结构,系应用于发光元件之封装,包含: 一传导板; 一绝缘层,系位于该传导板上; 一导体层具有一开口,系位于该绝缘层上;以及 一反射层,经由该开口系嵌入该绝缘层,该反射层 系用以承载且电性偶合一发光元件; 其中该反射层系与该传导板电性偶合,且与该导体 层之至少一部分电性绝缘。2.如申请专利范围第1 项所述之封装结构,其中该反射层系同时嵌入该传 导板之一部份。3.如申请专利范围第1项所述之封 装结构,更包含至少一槽道,该槽道系用以绝缘该 反射层与该导体层之至少该部分。4.如申请专利 范围第3项所述之封装结构,其中该槽道使得该反 射层系与该导体层之至少两部分电性绝缘。5.如 申请专利范围第3项所述之封装结构,更包含一填 充绝缘层,其中该填充绝缘层系用以填充该槽道。 6.如申请专利范围第1项所述之封装结构,更包含一 黏着层,其中该发光元件系利用该黏着层与该反射 层电性偶合。7.如申请专利范围第1项之封装结构, 其中该传导板系一金属板,系用以传导该发光元件 所产生之热能,且该金属板之厚度约大于1毫米(mm) 。8.如申请专利范围第7项之封装结构,其中该金属 板系选自铜板、铝板、及其混合板所组成之族群 中。9.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中 该绝缘层系包含一环氧化物层(epoxy layer)或铁氟龙 等绝缘黏着材料。10.如申请专利范围第1项所述之 封装结构,其中该导体层系为一铜箔层,且该铜箔 层之厚度约0.1至数密尔。11.如申请专利范围第1项 所述之封装结构,其中该反射层系具有一反射面, 该反射面系用以反射该发光元件所发出之光。12. 如申请专利范围第11项所述之封装结构,其中该反 射层之反射面系包含选自银或其他高反射性之一 种材料所形成之反射面。13.如申请专利范围第1项 所述之封装结构,其中该反射层系包含一具倾斜之 杯状反射面。14.一种发光元件,包含: 一发光二极体,系具有一第一极及一第二极; 一基材,该基材依序包含一传导板、一绝缘层及一 导体层;以及 一反射层,系由该导体层方向嵌入该基材,该反射 层系用以承载且电性偶合该发光二极体; 其中该反射层系与该传导板电性偶合,且与该导体 层之至少一部分电性绝缘, 且其中该发光二极体之第一极系电性偶合该反射 层,且该第二极系电性偶合该导体层之至少该部分 。15.如申请专利范围第14项所述之发光元件,更包 含至少一槽道,该槽道系用以绝缘该反射层与该导 体层之至少该部分。16.如申请专利范围第15项所 述之发光元件,其中该槽道使得该反射层系与该导 体层之至少两部分电性绝缘。17.如申请专利范围 第15项所述之发光元件,更包含一填充绝缘层,其中 该填充绝缘层系用以填充该槽道。18.如申请专利 范围第14项所述之发光元件,更包含一黏着层,其中 该发光二极体系利用该黏着层与该反射层电性偶 合。19.如申请专利范围第14项之发光元件,更包含 至少一金属线,其中该金属线系使得该发光二极体 之第二极与该导体层之至少该部分电性偶合。20. 如申请专利范围第14项之发光元件,其中该传导板 系一金属板,系用以传导该发光二极体所产生之热 能,且该金属板之厚度约数百微米(um)至数毫米(mm) 。21.如申请专利范围第20项之发光元件,其中该金 属板系选自铜板、铝板、或其他金属混合板所组 成之族群中。22.如申请专利范围第14项所述之发 光元件,其中该绝缘层系包含一环氧化物层(epoxy layer)或铁氟龙等绝缘黏着材料。23.如申请专利范 围第14项所述之发光元件,其中该导体层系为一铜 箔层,且该铜箔层之厚度约0.1至数密尔。24.如申请 专利范围第14项所述之发光元件,其中该反射层系 具有一反射面,该反射面系用以反射该发光二极体 所发出之光。25.如申请专利范围第14项所述之发 光元件,其中该反射层之反射面系包含选自银或其 他高反射性之一种材料所形成之反射面。26.如申 请专利范围第14项所述之发光元件,其中该反射层 系包含一具倾斜之杯状反射面。27.一种封装发光 元件之方法,包含: 提供一发光二极体,系具有一第一极及一第二极; 提供一基板结构,该基板结构由下而上依序包含一 传导板、一绝缘层及一导体层; 形成一开口于该基板结构,以暴露出该传导板; 形成一反射层于该开口,使得该反射层系与该传导 板电性偶合,且与该导体层之至少一部分电性绝缘 ; 电性偶合该发光二极体之第一极与该反射层;以及 电性偶合该发光二极体之第二极与该导体层之至 少该部分。28.如申请专利范围第27项所述之方法, 更包含形成至少一槽道,该槽道系用以绝缘该反射 层与该导体层之至少该部分。29.如申请专利范围 第28项所述之方法,其中形成该槽道之步骤更包含, 形成复数个槽道,以分割该导体层成复数个部分, 且该反射层系与该导体层之至少两部分电性绝缘 。30.如申请专利范围第28项所述之方法,更包含形 成一填充绝缘层于该槽道内,以电性绝缘该反射层 及该导体层之至少该部分。31.如申请专利范围第 27项所述之方法,更包含形成一黏着层于该反射层 上,以连结及电性偶合该发光二极体之第一极与该 反射层。32.如申请专利范围第27项之方法,更包含 形成至少一金属线,以连结及电性偶合该发光二极 体之第二极与该导体层之至少该部分。图式简单 说明: 图1A显示本发明第一实施例之封装结构之立体图; 图1B显示本发明第一实施例之封装结构之剖面图; 图1C显示本发明第二实施例之封装结构之剖面示 意图; 图2A显示本发明实施例之发光元件之立体图; 图2B显示本发明实施例之发光元件之剖面图; 图3显示本发明第三实施例之封装结构之示意图; 图4A显示本发明第四实施例之封装结构之示意图; 图4B显示本发明第四实施例之封装结构之下视图; 图5显示本发明第五实施例之封装结构之示意图; 图6A显示本发明第六实施例之封装结构之示意图; 图6B显示图6A之上视图; 图6C显示图6A之下视图; 图7显示本发明方法之流程图。 |
