| 发明名称 |
A TRIPLE GATE OXIDE PROCESS WITH HIGH-K GATE DIELECTRIC |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG102076(A1) |
申请公布日期 |
2004.02.27 |
| 申请号 |
SG20030003887 |
申请日期 |
2003.07.25 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD. |
发明人 |
CHEW HOE ANG;WENHE LIN;JIA ZHEN ZHENG |
| 分类号 |
H01L21/283;H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L29/51;(IPC1-7):H01L |
主分类号 |
H01L21/283 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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