| 摘要 |
Es wird ein Verfahren offenbart, bei dem eine amorphe Kohlenstoff-Wasserstoff-Schicht als Hartmaskenmaterial mit einstellbarem Ätzwiderstand in einem RIE-Prozeß eingesetzt wird, das bei der Herstellung eines Halbleiterbauelements den Zusatz eines Schichtbildungsgases zu dem Ätzmittel vermeidet. Der Prozeß umfaßt: DOLLAR A a) Bereitstellen eines Halbleitersubstrats; DOLLAR A b) Ausbilden einer Hartmaske aus einer amorphen Kohlenstoff-Wasserstoff-Schicht durch Plasmaunterstützung über dem Halbleitersubstrat; DOLLAR A c) Ausbilden einer Öffnung in der Hartmaskenschicht, um einen freiliegenden Oberflächenteil der Hartmaskenschicht auszubilden; und DOLLAR A d) Ätzen des freigelegten Oberflächenteils der Hartmaskenschicht ohne Zusatz eines Schichtbildungsgases unter Verwendung von RIE zum Ausbilden eines Grabenstrukturmerkmals mit ausreichender Maskierung und ausreichendem Seitenwandschutz.
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