FIELD EFFECT TRANSISTOR, ASSOCIATED USE, AND ASSOCIATED PRODUCTION METHOD

摘要

Erläutert wird ein vertikaler Feldeffekttransistor mit einer Halbleiterschicht (10),in der entlang einer Vertiefung (72) ein dotierter Kanalbereich angeordnet ist. Ein"vergrabener" Anschlussbereich (18, 54) führt bis zu einer Oberfläche der Halbleiterschicht (10). Ein zweiter Anschlussbereich (16) ist in der Nähe der Öffnung der Vertiefung an der gleichen Oberfläche angeordnet. Vorzugsweise werden auch Isoliervertiefungen (70, 74, 76) zwischen dem Kanalbereich und einer leitenden Zuführung (54) sowie zwischen dem Feldeffekttransistor und einem benachbarten elektrischen Bauelement hergestellt. Der Feldeffekttransistor hat hervorragende elektrische Eigenschaften und ist einfach herzustellen.