用于调制掺杂的场效应晶体管的增强的T形栅极及其制造方法

摘要

本发明公开了一种用于调制掺杂的场效应晶体管(MODFET)的增强的T形栅极的结构和方法。增强的T形栅极具有将T形栅极的颈部夹在之间的绝缘间隔层。间隔层薄于T形条部分悬伸部分。绝缘层提供了机械支撑并在随后的器件处理期间保护了脆弱的颈部不受化学侵蚀，使T形栅极结构具有高的伸缩性并提高了成品率。使用低介电常数的薄保形绝缘层可以确保低栅极寄生电容，并降低了在源－栅间距减小到较小尺寸时，栅极和源极冶金接触短路的危险性。

主权项

1.一种增强的T形栅极，包括：自由T形栅极，所述自由T形栅极具有颈部，所述颈部具有一高度，以及T形条部分，所述T形条部分具有延伸超出所述颈部第一宽度的悬伸部分；以及设置在所述颈部每一侧上的绝缘体层，沿所述自由T形栅极的宽度方向与所述颈部形成夹层结构，其中所述绝缘层仅部分地填充所述悬伸部分和其上竖立所述自由T形栅极的表面之间限定的体积。