| 发明名称 | 半导体图象传感器的结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种图象传感器(10)，具有图象敏感元件，该元件包括N型导电区(26)和P型嵌入层(37)。这两个区构成两个深度不同的P-N结，提高了不同光频下电荷载流子收集的效率。导电区(26)是通过有角度的注入形成的，这样可以保证导电区(26)的一部分可以用作MOS晶体管(32)的源。 | ||
| 申请公布号 | CN1139994C | 申请公布日期 | 2004.02.25 |
| 申请号 | CN98123996.X | 申请日期 | 1998.11.11 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司;伊士曼·柯达公司 | 发明人 | 克里福德·I·朱雷;罗伯特·M·贵达西;马克·S·思文森 |
| 分类号 | H01L27/146;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/146 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1·一种图象传感器，其特征在于：具有第一掺杂浓度的第一导电类型的衬底(11)；衬底上的第一阱(16)，第一阱具有第一导电类型和大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，其中第一阱具有深入到衬底的第一深度(24)；与第一阱(16)隔开横向的衬底上的第一MOS晶体管(32)；与第一MOS晶体管邻接的位于衬底内的第二导电类型的导电区(26)，其中一部分导电区形成第一MOS晶体管的漏，并且导电区(26)具有深入到衬底的第二深度(29)；第一导电类型的嵌入层(37)，具有形成于导电区(26)内部的第一部分和以远离第一MOS晶体管(32)的方向从导电区横向延伸的第二部分。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||