发明名称 阵列式光探针扫描集成电路光刻系统中的对准方法
摘要 本发明涉及一种阵列式光探针扫描集成电路光刻系统中的对准方法,首先根据电路图形确定关键点,将电路图形的区别特征进行编码,并刻写在硅片上,设置一对校准图形,使校准图形位于电路图形处,校准图形由校准子图形组成。根据图形关键点,在硅片上刻写校准子图形,当套刻进行到图形关键点时,读取校准子图形坐标,并将该坐标与记录的校准子图形的坐标进行比较。本发明的装置中,工作台放置在基座上,由精密伺服电机驱动,待加工硅片通过吸盘固定于工作台上,校准光学头和光探针阵列位于硅片上方,一对校准光学头位于光探针阵列中间,光探针阵列呈矩形排列。采用本发明进行对准,可以一次对准所有电路图形,节省了对准时间,提高了对准效率。
申请公布号 CN1139845C 申请公布日期 2004.02.25
申请号 CN01123501.2 申请日期 2001.07.26
申请人 清华大学 发明人 徐端颐;齐国生;钱坤;李庆祥;范晓冬;蒋培军
分类号 G03F7/00;H01L21/027;B81C5/00 主分类号 G03F7/00
代理机构 北京清亦华专利事务所 代理人 罗文群
主权项 1、一种阵列式光探针扫描集成电路光刻系统中的对准方法,其特征在于该方法包括以下步骤:(1)根据硅片上待套刻的呈N行×M列矩形阵列电路图形的精度高低,确定图形的A个关键点;(2)将电路图形的区别特征进行编码,并将该编码刻写在硅片上;(3)在上述硅片上由电路图形构成的矩形阵列的顶边和底边中点处设置一对校准图形,使校准图形位于电路图形处,校准图形由与上述关键点个数相同的A个校准子图形组成;(4)根据上述第一步中确定的图形关键点,在硅片上刻写一个与之相应的校准子图形,并记录该校准子图形位置坐标;(5)套刻前,根据电路图形的区别特征确定该硅片的坐标参数,当套刻进行到图形关键点时,读取校准子图形坐标,并将该坐标与上述记录的校准子图形的坐标进行比较,两坐标相符时,继续套刻;两坐标不符时,判断误差,若为温度误差,则采用均化处理,若为随机误差,则在校准子图形位置继续套刻,并更新坐标数据;(6)在多次套刻过程中,重复采用上述过程,直至完成整个电路图形的刻写。
地址 100084北京市海淀区清华园