| 发明名称 | 存储元件及制造方法 | ||
| 摘要 | 一种存储元件的制造方法，首先，定义第一掺杂物型的半导体衬底。提供第二掺杂物型的掺杂层于衬底上，提供介电层于掺杂层上。形成栓塞于介电层中，掺杂第二掺杂物型的掺杂物于栓塞的整个区域中。掺杂第一掺杂物型的掺杂物于第二掺杂物型的栓塞中，并提供存储器单元于栓塞上。 | ||
| 申请公布号 | CN1477699A | 申请公布日期 | 2004.02.25 |
| 申请号 | CN03147183.8 | 申请日期 | 2003.07.08 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈旭顺;庄立欣;龙翔澜;陈逸舟 |
| 分类号 | H01L21/8239;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/8239 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种存储元件的制造方法，包括：定义一第一掺杂物型的一半导体衬底；提供一第二掺杂物型的一掺杂层于该衬底上；提供一介电层于该掺杂层上；形成一栓塞于该介电层中；掺杂该第二掺杂物型的掺杂物于该栓塞的整个区域中；掺杂该第一掺杂物型的掺杂物于该第二掺杂物型的该栓塞中；以及提供一存储器单元于该栓塞上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||