| 发明名称 | 非易失性半导体存储器及其操作方法 | ||
| 摘要 | 第一判断处理，其在第一判断条件下判断从该存储单元读出的数据是否合格/不合格，然后把一个信号施加到被判断为不合格的存储单元，以改变存储在该存储单元中的电荷量；以及第二判断处理，其在比第一判断条件更松的第二判断条件下判断从该存储单元读出的数据是否合格/不合格；以及当在第二判断处理中判断该数据不合格时，从第一判断处理重复执行该处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1477644A | 申请公布日期 | 2004.02.25 |
| 申请号 | CN03178414.3 | 申请日期 | 2003.07.16 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 鸟井智史 |
| 分类号 | G11C16/02 | 主分类号 | G11C16/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 1.一种非易失性半导体存储器包括：非易失性存储单元，用于存储对应于数据的电荷；以及存储单元驱动部分，用于驱动该存储单元；其中该存储单元驱动部分执行第一判断处理，其在第一判断条件下判断从该存储单元读出的数据是否合格/不合格，然后把一个信号施加到被判断为不合格的存储单元，以改变存储在该存储单元中的电荷量；以及执行第二判断处理，其在比第一判断条件更松的第二判断条件下判断从该存储单元读出的数据是否合格/不合格。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||