发明名称 一种电可擦写的分子基有机电双稳薄膜器件及其制作工艺
摘要 本发明属于分子电子器件技术领域,具体涉及一种电可擦写的分子基电双稳薄膜器件及其制作工艺。该分子基电双稳薄膜器件为由底电极、顶电极和有机分子膜构成的夹层结构。底电极和顶电极采用不同金属,有机分子材料采用含杂环的1,1-二氰基乙烯衍生物。该薄膜器件可采用真空热蒸镀方法制作。本电双稳薄膜器件,擦写次数达到数10次至1000次,两种状态的反差超过1000倍,写入时间小于100纳秒,擦除时间小于1微秒。这种电双稳薄膜可用于研制超高密度的电可擦写存贮器、分子基逻辑门以及过电压保护器等,具有广泛的实际应用价值。
申请公布号 CN1139998C 申请公布日期 2004.02.25
申请号 CN01132374.4 申请日期 2001.11.30
申请人 复旦大学 发明人 徐伟;吕银祥;华中一
分类号 H01L51/20;H01L51/30;H01L51/40 主分类号 H01L51/20
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 代理人 陆飞
主权项 1、一种电可擦写的分子基有机电双稳薄膜器件,由底电极、顶电极和有机分子膜构成,为夹层结构:M-organic-N,其特征在于有机分子材料organic采用含杂环的1,1-二氰基乙烯衍生物,底电极M和顶电极N采用金属材料。
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