发明名称 |
结晶装置、结晶方法、薄膜晶体管以及显示装置 |
摘要 |
本发明针对包括照射一相移掩模(4)的一照明系统(2)的结晶装置,其中相移掩模(4)将来自照明系统(2)的光束转换成具有在与该相移掩模(4)的相移部分(4e)相应的区域中具有最小光强度的反峰值图形的光强度分布的光束。该结晶装置进一步包括一光学部件(1,11,12,13,14,15),以便基于来自该照明系统(2)的光,在一预定平面上形成具有在与该相移部分对应的区域中光强度最小,并且朝该区域的周边增加的凹面图形的光强度分布;以及一成像光学系统(3),将该多晶半导体膜或非晶半导体膜的表面或其共轭平面以及该预定平面设置成一光学上的共轭关系。 |
申请公布号 |
CN1477677A |
申请公布日期 |
2004.02.25 |
申请号 |
CN03133128.9 |
申请日期 |
2003.07.24 |
申请人 |
株式会社液晶先端技术开发中心 |
发明人 |
谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 |
分类号 |
H01L21/00;H01L21/324;H01L29/786;G02F1/136 |
主分类号 |
H01L21/00 |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
韩宏 |
主权项 |
1、一种结晶装置,包括一照明系统,所述照明系统照射一相移掩模,以便用具有在与所述相移掩模的一相移部分对应的区域,具有最小光强度的反峰值图形的光强度分布的光束照射多晶半导体膜或非晶半导体膜,以产生结晶半导体膜,其特征在于包括:一光学部件,基于来自所述照明系统的光,在一预定平面上形成一凹面图形的光强度分布,该凹面图形的光强度分布具有在与所述相移部分对应的一区域中最小,并且朝所述区域的周边增加的光强度;以及一成像光学系统,将所述多晶半导体膜或非晶半导体膜的一表面或其共轭平面,与所述预定平面设置成一光学上的共轭关系。 |
地址 |
日本神奈川 |