发明名称 | 图像传感器及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括设置在光电二极管上的阻挡图形。该阻挡图形用其金属扩散率小于氧化硅的扩散率的绝缘材料形成。因此,减少了图像传感器的暗缺陷。此外,图像传感器包括色比控制层。色比控制层控制对蓝色、绿色和红色的灵敏度之间的色比。结果,由图像传感器所体现出的图像的色差能够得以改善。 | ||
申请公布号 | CN1477715A | 申请公布日期 | 2004.02.25 |
申请号 | CN03133015.0 | 申请日期 | 2003.06.20 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 宋在浩;朴永薰;辛相学 |
分类号 | H01L27/146;H04N5/335 | 主分类号 | H01L27/146 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
主权项 | 1.一种图像传感器,包括:器件隔离层,其形成在第一导电类型的半导体衬底中,并限定二极管区和有源区;第二导电类型的光电二极管,其形成在二极管区内,其中,该第二导电类型的光电二极管距离所述半导体衬底的顶表面预定的深度;第一导电类型的光电二极管,其设置在第二导电类型的光电二极管与半导体衬底的表面之间;第一栅,其设置在邻近第二导电类型的光电二极管的有源区上;设置在第一栅的一个侧壁上的至少一个侧壁隔离层,其中,至少一个侧壁隔离层包括:第一隔离层和设置在第一隔离层上的第二隔离层;和叠置在二极管区上的阻挡图形和绝缘图形;其中,阻挡图形用其金属扩散率小于氧化硅的扩散率的绝缘材料形成。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |