| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在同一平面上形成多条布线；在已形成布线的平面上形成第一SiOF绝缘膜，并除去布线上表面的第一绝缘膜；将氟掺入保留在布线间隙部分的第一绝缘膜；在保留下的第一绝缘膜和布线的上表面上形成第二SiOF绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1139972C | 申请公布日期 | 2004.02.25 |
| 申请号 | CN99103534.8 | 申请日期 | 1999.04.02 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 小田典明;今井清隆 |
| 分类号 | H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;余朦 |
| 主权项 | 1.半导体器件的制造方法，其特征在于包括：在同一平面上形成多条布线的步骤；在已形成布线的平面上形成第一SiOF绝缘膜，并除去布线上表面的第一绝缘膜的步骤；将氟掺入保留在布线间隙部分的第一绝缘膜的步骤；在所述保留下的第一绝缘膜和所述布线的上表面上形成第二SiOF绝缘膜的步骤。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||