| 发明名称 | 集成电路器件中的互连 | ||
| 摘要 | 用镶嵌法形成集成电路器件的导电互连网，在绝缘层(20A，20B)中的较宽沟槽(21)中设置绝缘栓22的阵列，以防止用化学机械抛光平面化表面时在金属导电路径中产生凹坑。 | ||
| 申请公布号 | CN1139986C | 申请公布日期 | 2004.02.25 |
| 申请号 | CN98125600.7 | 申请日期 | 1998.12.18 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | 沃尔夫冈·伯格纳;马丁·高尔;彼得·韦甘德 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
| 主权项 | 1.一种集成电路器件，包括：其中已形成有待互连的多个电路元件的半导体芯片；在芯片表面上的互连网络，该芯片包括有多个较宽和较窄沟槽的绝缘材料层和填充沟槽的导电层，其特征是，所述较宽沟槽包括多个绝缘材料的局部栓。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||