| 主权项 |
1.一种制造半导体元件之方法,其特征包含以下步骤:(a)形成一非晶系膜于一基材上;(b)移除该非晶系膜中所包含之至少一部份的一杂质元素;及(c)依序多次重覆进行该形成步骤(a)及该移除步骤(b),以提供一经移除杂质的非晶性膜于该基材上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在同一个反应室中进行该形成步骤(a)及该移除步骤(b)。3.如申请专利范围第2项之方法,其中在相同温度进行该形成步骤(a)及该移除步骤(b)。4.如申请专利范围第1项之方法,其中在转动该基材时进行该移除步骤(b)。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该非晶系膜系为一非晶系氧化钽膜。6.如申请专利范围第1项之方法,其中藉由一电浆程序进行该移除步骤(b)。7.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含:在该步骤(c)之后进行一结晶程序以使形成于该基材上的非晶性膜结晶之步骤(d)。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该结晶程序系为一快速热氧化程序。9.一种处理基材之方法,其包含以下步骤:(a)形成一非晶系膜于一基材上;(b)移除该非晶系膜中所包含之至少一部份的一杂质元素;及(c)依序多次重覆进行该形成步骤(a)及该移除步骤(b),以提供一经移除杂质的非晶性膜于该基材上。10.一种基材处理装置,其包含:一处理室,其用于处理一基材;一气体供应单元,其用于将一反应性气体供入该处理室中;一电浆产生单元;及一控制单元,其中该控制单元系控制该基材处理装置以在该处理室中依序重覆进行一用于利用该反应性气体将一非晶系膜沉积在该基材上之膜形成程序、以及一用于利用该电浆产生单元来移除该非晶系膜中所包含的至少一部份的一杂质元素之电浆程序。图式简单说明:第1图示意显示根据本发明之一CVD装置;第2图描述一非晶系氧化钽膜中所包含之杂质含量及程序循环数之间的关系;第3图描述一结晶性氧化钽膜之漏电流及程序循环数之间的关系;第4图示意显示根据本发明之一基材处理装置;第5图示意显示一习知CVD装置;第6图显示成长在一基材上之一氧化钽膜的剖视图;第7图显示阶梯覆盖率与膜成长温度之间的关系;第8图描述膜成长温度与一氧化钽膜中所包含的杂质含量之间的关系;第9图示意显示一习知基材处理装置。 |
